Goede kwaliteit silisiumkarbid RBSIC / SISIC Cantilever Paddle brûkt yn sinne fotovoltaïske yndustry

Goede kwaliteit Silicon Carbide RBSIC / SISIC Cantilever Paddle brûkt yn Solar Photovoltaic Industry Featured Image

Koarte beskriuwing:

Spesjale foardielen fan ús SiC-coated grafyt susceptors omfetsje ekstreem hege suverens, homogene coating en in poerbêste libbensdoer. Se hawwe ek hege gemyske ferset en thermyske stabiliteit eigenskippen.

Wy behâlde tige nauwe tolerânsjes by it tapassen fan de SiC-coating, mei help fan hege-precision-ferwurking om in unifoarm susceptorprofyl te garandearjen. Wy produsearje ek materialen mei ideale elektryske wjerstânseigenskippen foar gebrûk yn induktyf ferwaarme systemen. Alle ôfmakke komponinten komme mei in sertifikaat foar suverens en dimensjeel neilibjen.

Stjoer e-mail nei ús Download as PDF

Produkt Detail

Produkt Tags

Goed rinnende ark, saakkundige winstbemanning, en folle bettere produkten en tsjinsten nei ferkeap; Wy hawwe ek in ferienige grutte spouse en bern west, elke persoan hâldt him oan it bedriuw foardiel "ieniging, tawijing, tolerânsje" foar Silicon Carbide RBSIC / SISIC Cantilever Paddle fan goede kwaliteit brûkt yn Solar Photovoltaic Industry, Wy binne fan herte wolkom de twa bûtenlânske en ynlânske saaklike ûndernimming kompanjons, en hoopje te operearje mei jo yn 'e tichtby lange termyn!
Goed rinnende ark, saakkundige winstbemanning, en folle bettere produkten en tsjinsten nei ferkeap; Wy hawwe ek in ferienige grutte frou en bern west, elke persoan hâldt him oan it bedriuw foardiel "ieniging, tawijing, tolerânsje" foarChina Refractory keramyk en keramyske oven, Om te foldwaan oan de easken fan bepaalde persoan klanten foar elk bytsje mear perfekte tsjinst en stabile kwaliteit items. Wy binne fan herte wolkom klanten om 'e wrâld om te besykjen ús, mei ús mearsidige gearwurking, en tegearre ûntwikkeljen nije merken, meitsje in briljante takomst!

SiC coating / coated fan Graphite substraat foar Semiconductor

Susceptors hâlde en ferwaarmje semiconductor wafers by termyske ferwurking. In susceptor is makke fan in materiaal dat enerzjy absorbearret troch ynduksje, konduksje en/of strieling en de wafel ferwaarmt. De termyske skokbestriding, termyske konduktiviteit en suverens binne kritysk foar rappe thermyske ferwurking (RTP). Silisiumkarbid-coated grafyt, silisiumkarbid (SiC), en silisium (Si) wurde faak brûkt foar susceptors ôfhinklik fan 'e spesifike termyske en gemyske omjouwing. PureSiC® CVD SiC en ClearCarbon™ ultra-suver materiaal dat superieure thermyske stabiliteit, korrosjebestriding en duorsumens leveret.

Produkt Beskriuwing

SiC coating fan Graphite substraat foar Semiconductor applikaasjes produsearret in diel mei superieure suverens en ferset tsjin oxidizing sfear.
CVD SiC of CVI SiC wurdt tapast op Graphite fan ienfâldige of komplekse design dielen. Coating kin tapast wurde yn ferskate dikten en op heul grutte dielen.

SiC coating / coated fan Graphite substraat foar Semiconductor

Technyske keramyk is in natuerlike kar foar applikaasjes foar thermyske ferwurking fan semiconductor, ynklusyf RTP (Rapid Thermal Processing), Epi (Epitaxial), diffusion, oksidaasje en annealing. CoorsTek leveret avansearre materiaalkomponinten spesifyk ûntworpen om termyske skokken te wjerstean mei hege suverens, stevige, werhelle prestaasjes foar hege temperatueren

Funksjes:
· Excellent Thermal Shock Resistance
· Excellent Physical Shock Resistance
· Excellent Chemical Resistance
· Super hege suverens
· Beskikberens yn komplekse foarm
· Brûkber ûnder oksidearjende atmosfear

oanfraach:

In wafel moat troch ferskate stappen passe foardat it klear is foar gebrûk yn elektroanyske apparaten. Ien wichtich proses is silisium epitaksy, wêrby't de wafels wurde droegen op grafytsusceptors. De eigenskippen en kwaliteit fan 'e susceptors hawwe in krúsjale ynfloed op' e kwaliteit fan 'e epitaksiale laach fan' e wafel.

Typyske eigenskippen fan basis grafytmateriaal:

Skynbere tichtens:	1,85 g/cm3
Elektryske wjerstân:	11 μΩm
Flexural Stenth:	49 MPa (500 kgf/cm2)
Shore hurdens:	58
Jiske:	<5ppm
Thermyske konduktiviteit:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)