Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptoris in spesjaal ûntworpen stipe- en ferwaarmingsapparaat dat wurdt brûkt om semiconductor-substraten te hâlden en te ferwaarmjen tidens fabrikaazjeprosessen lykas ôfsettings- of epitaksyprosessen.

De struktuer omfettet typysk silindryske as in bytsje barrelfoarmige, oerflak hat meardere pockets of platfoarms foar it pleatsen fan de wafers, kin bêst as hol ûntwerp wêze, ôfhinklik fan 'e ferwaarmingsmetoade.

De wichtichste funksjes fan epitaxial barrel susceptor:

-Stipe foar substraat: hâldt feilich meardere semiconductor wafers;
-Heat boarne: jout hege temperatueren nedich foar groei troch ferwaarming;
-Temperatueruniformiteit: soarget foar unifoarme ferwaarming fan substraten;
-Rotaasje: draait gewoanlik tidens groei om temperatuer- en gasferdielingsuniformiteit te ferbetterjen.

Wurkprinsipe fan Epi grafyt barrel susceptor:
- Yn 'e epitaksiale reaktor wurdt de barrel susceptor ferwaarme oant de fereaske temperatuer (typysk 1000 ℃ -1200 ℃ foar silisium epitaksy);
-De barrel susceptor draait te garandearjen unifoarm temperatuer distribúsje en gas flow;
-Reaksje gassen ûntbine by hege temperatueren, foarmje epitaksiale lagen op it substraat oerflak.

Applikaasjes:
- Benammen brûkt foar silisium epitaksiale groei
- Ek fan tapassing foar epitaksy fan oare halfgeleidermaterialen lykas GaAs, InP, ensfh.

VET Energy brûkt grafyt mei hege suverens mei CVD-SiC-coating om de gemyske stabiliteit te ferbetterjen:

De foardielen fan VET Energy Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor:

- hege temperatuer stabiliteit;
- Goede termyske uniformiteit;
-Kin meardere substraten tagelyk ferwurkje, produksje effisjinsje ferbetterje;
-Gemysk inert, it behâld fan in groeiomjouwing mei hege suverens.