12 inch SOI wafer

Koarte beskriuwing:

Belibje ynnovaasje lykas nea earder mei de state-of-the-art 12 Inch SOI Wafer, in technologysk wûnder dy't grutsk oan jo brocht troch VET Energy. Makke mei presyzje en saakkundigens, dizze Silicon-On-Insulator wafer definiearret yndustry noarmen, en biedt ongeëvenaarde kwaliteit en prestaasjes.

Stjoer e-mail nei ús Download as PDF

Produkt Detail

Produkt Tags

VET Energy 12-inch SOI wafer is in hege-optreden semiconductor substraat materiaal, dat is tige begeunstige foar syn treflike elektryske eigenskippen en unike struktuer. VET Energy brûkt avansearre SOI-wafer-produksjeprosessen om te soargjen dat de wafel ekstreem lege lekstrom, hege snelheid en stralingsresistinsje hat, en in solide basis foar jo yntegreare circuits mei hege prestaasjes.

De produktline fan VET Energy is net beheind ta SOI-wafers. Wy jouwe ek in breed oanbod fan semiconductor substraat materialen, ynklusyf Si Wafer, SiC Substrate, SiN Substrate, Epi Wafer, ensfh, likegoed as nije breed bandgap semiconductor materialen lykas Gallium Oxide Ga2O3 en AlN Wafer. Dizze produkten kinne foldwaan oan de tapassingsferlet fan ferskate klanten yn machtelektronika, RF, sensoren en oare fjilden.

Fokus op treflikens, ús SOI wafers brûke ek avansearre materialen lykas gallium okside Ga2O3, kassetten en AlN wafers te garandearjen betrouberens en effisjinsje op elk operasjoneel nivo. Fertrou VET Energy foar it leverjen fan nijsgjirrige oplossingen dy't it paad foar technologyske foarútgong meitsje.

Los it potensjeel fan jo projekt los mei de superieure prestaasjes fan VET Energy 12-inch SOI-wafers. Ferheegje jo ynnovaasjemooglikheden mei wafels dy't kwaliteit, presyzje en ynnovaasje ferbyldzje, en lizze de basis foar sukses op it dynamyske mêd fan semiconductortechnology. Kies VET Energy foar premium SOI-waferoplossingen dy't ferwachtingen oertreffe.

WAFERING SPESIFIKASJES

*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Semi-isolearjend

Ûnderdiel	8-ynch	6-ynch			4-ynch
Ûnderdiel	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6um	≤6um
Bow(GF3YFCD)-Absolute wearde	≤15μm	≤15μm	≤25 μm		≤15μm
Warp (GF3YFER)	≤25 μm	≤25 μm	≤40 μm		≤25 μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2 μm
Wafer Edge	Beveling

SURFACE FINISH

*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Semi-isolearjend

Ûnderdiel	8-ynch	6-ynch			4-ynch
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Oerflak Finish	Dûbele side Optical Poalsk, Si- Face CMP
Oerflak Roughness	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Face Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0.5nm
Edge Chips	Gjin tastien (lingte en breedte≥0.5mm)
Ynspringen	Gjin tastien
Krassen (Si-Face)	Oantal.≤5, kumulatyf Lengte ≤0,5 × wafer diameter	Oantal.≤5, kumulatyf Lengte ≤0,5 × wafer diameter			Oantal.≤5, kumulatyf Lengte ≤0,5 × wafer diameter
Kraken	Gjin tastien
Râne útsluting	3 mm