همانطور که در شکل 3 نشان داده شده است، سه تکنیک غالب با هدف ارائه تک کریستال SiC با کیفیت و کارایی بالا وجود دارد: اپیتاکسی فاز مایع (LPE)، انتقال فیزیکی بخار (PVT)، و رسوب بخار شیمیایی در دمای بالا (HTCVD). PVT یک فرآیند به خوبی تثبیت شده برای تولید SiC sin...
ادامه مطلب