-
شش مزیت کاربید سیلیکون متخلخل تحت فشار اتمسفر و کاربرد سرامیک کاربید سیلیکون
کاربید سیلیکون متخلخل با فشار اتمسفر دیگر فقط به عنوان یک ساینده استفاده نمی شود، بلکه بیشتر به عنوان یک ماده جدید استفاده می شود و به طور گسترده در محصولات با تکنولوژی بالا مانند سرامیک های ساخته شده از مواد کاربید سیلیکون استفاده می شود. بنابراین شش مزیت تف جوشی کاربید سیلیکون تحت فشار اتمسفر و...ادامه مطلب -
نیترید سیلیکون - سرامیک های ساختاری با بهترین عملکرد کلی
سرامیک های ویژه به دسته ای از سرامیک ها اطلاق می شود که دارای خواص مکانیکی، فیزیکی یا شیمیایی خاص هستند، مواد اولیه مورد استفاده و تکنولوژی تولید مورد نیاز تفاوت زیادی با سرامیک های معمولی و توسعه یافته دارند. با توجه به ویژگی ها و موارد استفاده می توان سرامیک های مخصوص را...ادامه مطلب -
تأثیر تف جوشی بر خواص سرامیک های زیرکونیایی
به عنوان نوعی ماده سرامیکی، زیرکونیوم دارای استحکام بالا، سختی بالا، مقاومت در برابر سایش خوب، مقاومت در برابر اسید و قلیایی، مقاومت در برابر درجه حرارت بالا و سایر خواص عالی است. علاوه بر استفاده گسترده در زمینه صنعتی، با توسعه شدید صنعت دندان مصنوعی ...ادامه مطلب -
قطعات نیمه هادی - پایه گرافیتی با پوشش SiC
پایه های گرافیتی با پوشش SiC معمولاً برای پشتیبانی و گرم کردن بسترهای تک کریستالی در تجهیزات رسوب بخار شیمیایی فلزی-آلی (MOCVD) استفاده می شود. پایداری حرارتی، یکنواختی حرارتی و سایر پارامترهای عملکرد پایه گرافیتی با پوشش SiC نقش تعیین کننده ای در کیفیت epi...ادامه مطلب -
چرا سیلیکون به عنوان یک تراشه نیمه هادی؟
نیمه هادی ماده ای است که رسانایی الکتریکی آن در دمای اتاق بین رسانا و عایق است. مانند سیم مسی در زندگی روزمره، سیم آلومینیومی یک رسانا است و لاستیک یک عایق است. از نقطه نظر رسانایی: نیمه هادی به یک رسانا ...ادامه مطلب -
تأثیر تف جوشی بر خواص سرامیک های زیرکونیایی
اثر تف جوشی بر خواص سرامیک های زیرکونیا به عنوان نوعی ماده سرامیکی، زیرکونیوم دارای استحکام بالا، سختی بالا، مقاومت در برابر سایش خوب، مقاومت در برابر اسید و قلیایی، مقاومت در برابر دمای بالا و سایر خواص عالی است. علاوه بر استفاده گسترده در زمینه صنعتی،...ادامه مطلب -
قطعات نیمه هادی - پایه گرافیتی با پوشش SiC
پایه های گرافیتی با پوشش SiC معمولاً برای پشتیبانی و گرم کردن بسترهای تک کریستالی در تجهیزات رسوب بخار شیمیایی فلزی-آلی (MOCVD) استفاده می شود. پایداری حرارتی، یکنواختی حرارتی و سایر پارامترهای عملکرد پایه گرافیتی با پوشش SiC نقش تعیین کننده ای در کیفیت epi...ادامه مطلب -
پیشرفت sic رشد مواد اصلی اصلی
هنگامی که کریستال کاربید سیلیکون رشد می کند، "محیط" رابط رشد بین مرکز محوری کریستال و لبه متفاوت است، به طوری که تنش کریستال روی لبه افزایش می یابد و لبه کریستال به راحتی "نقایص جامع" ایجاد می کند. به اطلاعات...ادامه مطلب -
کاربید سیلیکون زینتر شده با واکنش چگونه تولید می شود؟
سیلیکون کاربید تف جوشی یک روش مهم برای تولید مواد سرامیکی با کارایی بالا است. در این روش از عملیات حرارتی منابع کربن و سیلیکون در دماهای بالا استفاده می شود تا آنها را وادار به واکنش برای تشکیل سرامیک کاربید سیلیکون کند. 1. تهیه مواد اولیه. مواد اولیه ر...ادامه مطلب
- English
- French
- German
- Portuguese
- Spanish
- Russian
- Japanese
- Korean
- Arabic
- Irish
- Greek
- Turkish
- Italian
- Danish
- Romanian
- Indonesian
- Czech
- Afrikaans
- Swedish
- Polish
- Basque
- Catalan
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- Albanian
- Amharic
- Armenian
- Azerbaijani
- Belarusian
- Bengali
- Bosnian
- Bulgarian
- Cebuano
- Chichewa
- Corsican
- Croatian
- Dutch
- Estonian
- Filipino
- Finnish
- Frisian
- Galician
- Georgian
- Gujarati
- Haitian
- Hausa
- Hawaiian
- Hebrew
- Hmong
- Hungarian
- Icelandic
- Igbo
- Javanese
- Kannada
- Kazakh
- Khmer
- Kurdish
- Kyrgyz
- Latin
- Latvian
- Lithuanian
- Luxembou..
- Macedonian
- Malagasy
- Malay
- Malayalam
- Maltese
- Maori
- Marathi
- Mongolian
- Burmese
- Nepali
- Norwegian
- Pashto
- Persian
- Punjabi
- Serbian
- Sesotho
- Sinhala
- Slovak
- Slovenian
- Somali
- Samoan
- Scots Gaelic
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- Ukrainian
- Urdu
- Uzbek
- Vietnamese
- Welsh
- Xhosa
- Yiddish
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur