Askotan bezeroari zuzenduta dago, eta gure azken helburua da ziurrenik hornitzaile entzutetsuena, fidagarriena eta zintzoena izateaz gain, gure bezeroen bazkide izatea ere Txinako 1200c Plasma Hobetutako Prezio Kimikoen Deposizio Super Baxuena egiteko.PecvdVacuum Funace, Zuregatik egin dezakegunari buruz gehiago jakiteko, jar zaitez gurekin harremanetan edozein unetan. Espero dugu zurekin negozio harreman onak eta epe luzekoak ezartzea.
Askotan bezeroari zuzenduta dago, eta gure azken helburua da ziurrenik hornitzaile entzutetsuena, fidagarriena eta zintzoena izateaz gain, gure bezeroentzako bazkide izatea ere.Txinako Plasma Hobetutako Lurrun Kimikoen Deposizioa, Pecvd, Gure ekipamendu aurreratuak, kalitatearen kudeaketa bikainak, ikerketa eta garapen gaitasunak gure prezioa jaisten dute. Eskaintzen dugun prezioa agian ez da baxuena izango, baina guztiz lehiakorra dela bermatzen dugu! Ongi etorri gurekin harremanetan berehala etorkizuneko negozio harremanetarako eta elkarrekiko arrakasta lortzeko!
Karbono/karbono konposatuak(aurrerantzean “C/C edo CFC”) karbonoan oinarritzen den eta karbono-zuntzez eta bere produktuez (karbono-zuntzezko preforma) indartutako material konposatu mota bat da. Karbonoaren inertzia eta karbono zuntzaren indar handia ditu. Propietate mekaniko onak ditu, beroarekiko erresistentzia, korrosioarekiko erresistentzia, marruskadura moteltzea eta eroankortasun termiko eta elektrikoaren ezaugarriak ditu.
CVD-SiCestaldurak egitura uniformea, material trinkoa, tenperatura altuko erresistentzia, oxidazio erresistentzia, purutasun handia, azido eta alkali erresistentzia eta erreaktibo organikoaren ezaugarriak ditu, propietate fisiko eta kimiko egonkorrak dituena.
Garbitasun handiko grafito-materialekin alderatuta, grafitoa 400C-tan oxidatzen hasten da, eta horrek oxidazioaren ondorioz hauts galera eragingo du, gailu periferikoetan eta huts-ganberetan ingurumena kutsatuko du eta purutasun handiko inguruneko ezpurutasunak areagotzen ditu.
Hala ere, SiC estaldurak egonkortasun fisikoa eta kimikoa mantendu dezake 1600 gradutan, oso erabilia da industria modernoan, batez ere erdieroaleen industrian.
Gure enpresak SiC estaldura-prozesuko zerbitzuak eskaintzen ditu CVD metodoaren bidez grafito, zeramika eta beste materialen gainazalean, karbonoa eta silizioa duten gas bereziek tenperatura altuan erreakzionatu dezaten, purutasun handiko SiC molekulak lortzeko, estalitako materialen gainazalean metatutako molekulak. SIC babes-geruza osatuz. Eratutako SIC-a grafito-oinarriari sendo lotzen zaio, grafito-oinarriari propietate bereziak emanez, horrela grafitoaren gainazala trinkoa, porositaterik gabekoa, tenperatura altuko erresistentzia, korrosioarekiko erresistentzia eta oxidazio-erresistentzia bihurtuz.
Ezaugarri nagusiak:
1. Tenperatura handiko oxidazio erresistentzia:
Oxidazio-erresistentzia oso ona da oraindik tenperatura 1600 C-rainokoa denean.
2. Garbitasun handia: tenperatura altuko klorazio-baldintzetan lurrun-jadapen kimikoen bidez egina.
3. Higadura erresistentzia: gogortasun handia, gainazal trinkoa, partikula finak.
4. Korrosioarekiko erresistentzia: azido, alkali, gatza eta erreaktibo organikoak.
CVD-SIC estalduraren zehaztapen nagusiak:
| SiC-CVD | ||
| Dentsitatea | (g/cc)
| 3.21 |
| Flexio-indarra | (Mpa)
| 470 |
| Hedapen termikoa | (10-6/K) | 4
|
| Eroankortasun termikoa | (W/mK) | 300
|
