SiC estaldura grafitoa MOCVD obleen eramaileak, SiC epitaxirako grafito suszeptoreak

Deskribapen laburra:

 


  • Jatorri lekua:Zhejiang, Txina (kontinentala)
  • Modelo zenbakia:Itsasontzia3004
  • Konposizio kimikoa:SiC estalitako grafitoa
  • Flexio-indarra:470Mpa
  • Eroankortasun termikoa:300 W/mK
  • Kalitatea:Perfektua
  • Funtzioa:CVD-SiC
  • Aplikazio:Erdieroalea / Fotovoltaikoa
  • Dentsitatea:3,21 g/cc
  • Hedapen termikoa:4 10-6/K
  • Lizarra: <5ppm
  • Lagina:Eskuragarri
  • HS kodea:6903100000
  • Produktuaren xehetasuna

    Produktuen etiketak

    SiC estaldura grafitoa MOCVD obleen eramaileak,Grafito suszeptoreakSiC Epitaxirako,
    Karbonoak suszeptoreak hornitzen ditu, epitaxia suszeptoreak, Grafito suszeptoreak,

    Produktuaren Deskribapena

    CVD-SiC estaldurak egitura uniformea, material trinkoa, tenperatura altuko erresistentzia, oxidazio erresistentzia, purutasun handia, azido eta alkali erresistentzia eta erreaktibo organikoaren ezaugarriak ditu, propietate fisiko eta kimiko egonkorrak dituena.

    Garbitasun handiko grafito-materialekin alderatuta, grafitoa 400C-tan oxidatzen hasten da, eta horrek oxidazioaren ondorioz hauts galera eragingo du, gailu periferikoetan eta huts-ganberetan ingurumena kutsatuko du eta purutasun handiko inguruneko ezpurutasunak areagotzen ditu.

    Hala ere, SiC estaldurak egonkortasun fisikoa eta kimikoa mantendu dezake 1600 gradutan, oso erabilia da industria modernoan, batez ere erdieroaleen industrian.

    Gure enpresak SiC estaldura-prozesuko zerbitzuak eskaintzen ditu CVD metodoaren bidez grafito, zeramika eta beste materialen gainazalean, karbonoa eta silizioa duten gas bereziek tenperatura altuan erreakzionatu dezaten, purutasun handiko SiC molekulak lortzeko, estalitako materialen gainazalean metatutako molekulak. SIC babes-geruza osatuz.Eratutako SIC-a grafito-oinarriari sendo lotzen zaio, grafito-oinarriari propietate bereziak emanez, horrela grafitoaren gainazala trinkoa, porositaterik gabekoa, tenperatura altuko erresistentzia, korrosioarekiko erresistentzia eta oxidazio-erresistentzia bihurtuz.

    Aplikazio:

    2

    Ezaugarri nagusiak:

    1. Tenperatura handiko oxidazio erresistentzia:

    Oxidazio-erresistentzia oso ona da oraindik tenperatura 1700 C-rainokoa denean.

    2. Garbitasun handia: tenperatura altuko klorazio-baldintzetan lurrun-jadapen kimikoen bidez egina.

    3. Higadura erresistentzia: gogortasun handia, gainazal trinkoa, partikula finak.

    4. Korrosioarekiko erresistentzia: azido, alkali, gatza eta erreaktibo organikoak.

    CVD-SIC estalduren zehaztapen nagusiak:

    SiC-CVD

    Dentsitatea

    (g/cc)

    3.21

    Flexio-indarra

    (Mpa)

    470

    Hedapen termikoa

    (10-6/K)

    4

    Eroankortasun termikoa

    (W/mK)

    300

    Hornikuntzarako gaitasuna:

    10000 Pieza/Pieza Hilero
    Paketatzea eta entrega:
    Enbalatzea: Enbalaje estandarra eta sendoa
    Poly poltsa + Kutxa + Kartoia + Paleta
    Portua:
    Ningbo/Shenzhen/Shanghai
    Epea:

    Kopurua (Piezak) 1-1000 > 1000
    Est.Denbora (egunak) 15 Negoziatu beharrekoa


  • Aurrekoa:
  • Hurrengoa:

  • WhatsApp Online Txata!