SiC kristal bakarra IV-IV multzoko material erdieroale konposatu bat da, Si eta C bi elementuz osatutakoa, 1:1eko erlazio estekiometrikoan. Bere gogortasuna diamantearen bigarrena da.
SiC oxidoaren karbono murrizketa metodoa SiC prestatzeko erreakzio kimiko formula honetan oinarritzen da nagusiki:
Silizio oxidoaren karbonoa murrizteko erreakzio-prozesua nahiko konplexua da, erreakzio-tenperaturak zuzenean eragiten dion azken produktuari.
Silizio karburoa prestatzeko prozesuan, lehengaiak erresistentzia-labe batean sartzen dira. Erresistentzia-labea muturretako muturretako hormek osatzen dute, erdian grafitozko elektrodo bat duela, eta labearen nukleoak bi elektrodoak lotzen ditu. Labearen nukleoaren periferian, erreakzioan parte hartzen duten lehengaiak jartzen dira lehenik, eta, ondoren, beroa kontserbatzeko erabiltzen diren materialak periferian jartzen dira. Urtzea hasten denean, erresistentzia-labea dinamizatzen da eta tenperatura 2.600 eta 2.700 gradu Celsius-ra igotzen da. Bero-energia elektrikoa kargara transferitzen da labearen nukleoaren gainazaletik, pixkanaka berotzen delarik. Kargaren tenperatura 1450 gradu Celsius gainditzen denean, erreakzio kimiko bat gertatzen da silizio karburoa eta karbono monoxido gasa sortzeko. Galdaketa prozesuak aurrera egin ahala, kargako tenperatura altuko eremua pixkanaka zabalduko da, eta sortutako silizio-karburo kopurua ere handituko da. Silizio karburoa etengabe sortzen da labean, eta lurruntzearen eta mugimenduaren bidez, kristalak pixkanaka hazten dira eta azkenean kristal zilindrikoetan biltzen dira.
Kristalaren barruko hormaren zati bat deskonposatzen hasten da 2.600 gradu Celsius gainditzen duen tenperatura altuagatik. Deskonposizioan sortutako silizio-elementua kargako karbono-elementuarekin birkonbinatuko da silizio-karburo berria sortzeko.
Silizio karburoaren (SiC) erreakzio kimikoa amaitu eta labea hoztu denean, hurrengo urratsa has daiteke. Lehenik eta behin, labearen hormak desmuntatzen dira, eta, ondoren, labeko lehengaiak geruzaz geruza hautatzen eta mailakatzen dira. Hautatutako lehengaiak birrindu egiten dira nahi dugun material pikortsua lortzeko. Ondoren, lehengaietan dauden ezpurutasunak kentzen dira ura garbitu edo azido eta alkaliko soluzioekin garbitzen, baita bereizketa magnetikoa eta beste metodo batzuk ere. Garbitutako lehengaiak lehortu eta berriro bahetu behar dira, eta, azkenik, siliziozko karburo hautsa lor daiteke. Beharrezkoa izanez gero, hauts hauek benetako erabileraren arabera prozesatu daitezke, hala nola moldaketa edo artezketa fina, silizio karburo hauts finagoa ekoizteko.
Urrats zehatzak hauek dira:
(1) Lehengaiak
Silizio karburo berdea mikro hautsa silizio karburo berde lodiagoa birrinduta sortzen da. Silizio karburoaren konposizio kimikoa % 99 baino handiagoa izan behar da eta karbono librea eta burdin oxidoa % 0,2 baino txikiagoa izan behar da.
(2)Apurtuta
Silizio karburoko harea hauts finetan birrintzeko, gaur egun Txinan bi metodo erabiltzen dira, bata aldizkako bola hezea birrintzea da, eta bestea aire-fluxuaren hauts-errota baten bidez birrintzea.
(3)Bereizketa magnetikoa
Ez dio axola zer metodo erabiltzen den silizio karburoaren hautsa hauts finetan birrintzeko, bereizketa magnetiko hezea eta bereizketa magnetiko mekanikoa erabili ohi dira. Hau da, bereizketa magnetiko hezean hautsik ez dagoelako, material magnetikoak guztiz bereizten dira, bereizketa magnetikoaren ondoren produktuak burdin gutxiago dauka eta material magnetikoek kentzen duten silizio karburo hautsa ere txikiagoa da.
(4)Uraren bereizketa
Ura bereizteko metodoaren oinarrizko printzipioa silizio-karburoko partikulen dekantazio-abiadura desberdinak uretan dauden diametro desberdinetako partikulen tamaina partikulen sailkapena egiteko erabiltzea da.
(5) Ultrasoinu emanaldia
Ultrasoinu-teknologiaren garapenarekin, mikro-hautsen teknologiaren ultrasoinuen baheketan ere oso erabilia izan da, funtsean, baheketa-arazoak konpon ditzaketenak, hala nola, adsortzio indartsua, aglomerazio erraza, elektrizitate estatiko handia, fintasun handia, dentsitate handia eta grabitate espezifiko argia. .
(6)Kalitatearen ikuskapena
Mikrohautsaren kalitatearen ikuskapenak konposizio kimikoa, partikulen tamainaren konposizioa eta beste elementu batzuk barne hartzen ditu. Ikuskapen-metodoak eta kalitate-arauak ikusteko, ikusi "Silizio-karburoaren baldintza teknikoak".
(7) Artezteko hautsaren ekoizpena
Mikro-hautsa taldekatu eta bahetu ondoren, material-burua artezketa-hautsa prestatzeko erabil daiteke. Artezteko hautsaren ekoizpenak hondakinak murrizten ditu eta produktu-katea luzatzen du.
Argitalpenaren ordua: 2024-05-13