Silizio karburoko erretiluais a giltzaErdieroaleak fabrikatzeko hainbat prozesutan erabiltzen den osagaia.Gure patentatutako teknologia erabiltzen dugu siliziozko karburoko eramailea egitekooso garbitasun handia,onaestaldurauniformetasunaeta zerbitzu-bizitza bikaina, baitaerresistentzia kimiko handia eta egonkortasun termikoko propietateak.
LH Energia da duCVD estaldura duten grafito eta silizio karburozko produktu pertsonalizatuen benetako fabrikatzailea,hornitu dezakehainbaterdieroale eta industria fotovoltaikorako pieza pertsonalizatuak. OGure talde teknikoa etxeko ikerketa-erakunde gorenetatik dator, material material profesionalagoak eman ditzakezuretzat.
Prozesu aurreratuak etengabe garatzen ditugu material aurreratuagoak eskaintzeko,etapatentatutako teknologia esklusibo bat landu dute, estalduraren eta substratuaren arteko lotura estuagoa eta askatzeko joera gutxiago izan dezakeena.
FGure produktuen ezaugarriak:
1. Tenperatura handiko oxidazio erresistentzia 1700 arte℃.
2. Garbitasun handiko etauniformetasun termikoa
3. Korrosioarekiko erresistentzia bikaina: azido, alkali, gatza eta erreaktibo organikoak.
4. Gogortasun handia, gainazal trinkoa, partikula finak.
5. Zerbitzu-bizitza luzeagoa eta iraunkorragoa
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC-ren oinarrizko propietate fisikoakestaldura | |
| 性质 / Jabetza | 典型数值 / Balio Tipikoa |
| 晶体结构 / Kristalezko Egitura | FCC β fasea多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Dentsitatea | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Gogortasuna | 2500 维氏硬度（500g karga） |
| 晶粒大小 / Ale Tamaina | 2 ~ 10μm |
| 纯度 / Garbitasun kimikoa | %99,99995 |
| 热容 / Bero Ahalmena | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimazio-tenperatura | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Flexur Indarra | 415 MPa RT 4 puntu |
| 杨氏模量 / Gazteen Modulua | 430 Gpa 4pt bihurgunea, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalEroankortasuna | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Hedapen termikoa (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Ongi etorri gure fabrika bisitatzera, eztabaidatu dezagun!
