Los componentes de grafito de alta pureza son cruciales paraprocesos en la industria de semiconductores, LED y solar. Nuestra oferta abarca desde consumibles de grafito para zonas calientes de crecimiento de cristales (calentadores, susceptores de crisol, aislamiento) hasta componentes de grafito de alta precisión para equipos de procesamiento de obleas, como susceptores de grafito recubiertos de carburo de silicio para epitaxia o MOCVD. Aquí es donde entra en juego nuestro grafito especial: el grafito isostático es fundamental para la producción de capas semiconductoras compuestas. Estas se generan en la "zona caliente" bajo temperaturas extremas durante el llamado proceso de epitaxia o MOCVD. El soporte giratorio sobre el que se recubren las obleas en el reactor está compuesto de grafito isostático recubierto de carburo de silicio. Sólo este grafito muy puro y homogéneo cumple con los altos requisitos del proceso de recubrimiento.
TEl principio básico del crecimiento de obleas epitaxiales LED es: sobre un sustrato (principalmente zafiro, SiC y Si) calentado a una temperatura adecuada, el material gaseoso InGaAlP se transporta a la superficie del sustrato de manera controlada para hacer crecer una película monocristal específica. En la actualidad, la tecnología de crecimiento de la oblea epitaxial LED adopta principalmente la deposición química de vapor de metales orgánicos.
Material de sustrato epitaxial LEDEs la piedra angular del desarrollo tecnológico de la industria de la iluminación de semiconductores. Los diferentes materiales de sustrato necesitan diferentes tecnologías de crecimiento de obleas epitaxiales LED, tecnologías de procesamiento de chips y tecnologías de empaquetado de dispositivos. Los materiales de sustrato determinan la ruta de desarrollo de la tecnología de iluminación por semiconductores.
Características de la selección del material del sustrato de oblea epitaxial LED:
1. El material epitaxial tiene una estructura cristalina igual o similar a la del sustrato, una pequeña falta de coincidencia constante en la red, buena cristalinidad y baja densidad de defectos.
2. Buenas características de interfaz, propicias para la nucleación de materiales epitaxiales y una fuerte adhesión.
3. Tiene buena estabilidad química y no es fácil de descomponer ni corroer en la temperatura y atmósfera de crecimiento epitaxial.
4. Buen rendimiento térmico, incluida buena conductividad térmica y bajo desajuste térmico.
5. Buena conductividad, se puede convertir en la estructura superior e inferior 6, buen rendimiento óptico y la luz emitida por el dispositivo fabricado es menos absorbida por el sustrato.
7. Buenas propiedades mecánicas y fácil procesamiento de los dispositivos, incluido el adelgazamiento, el pulido y el corte.
8. Precio bajo.
9. De gran tamaño. Generalmente, el diámetro no será inferior a 2 pulgadas.
10. Es fácil obtener un sustrato de forma regular (a menos que existan otros requisitos especiales), y la forma del sustrato similar al orificio de la bandeja del equipo epitaxial no es fácil de formar corrientes parásitas irregulares, que afecten la calidad epitaxial.
11. Bajo la premisa de no afectar la calidad epitaxial, la maquinabilidad del sustrato deberá cumplir con los requisitos del procesamiento posterior de chips y empaques en la medida de lo posible.
Es muy difícil que la selección del sustrato cumpla con los once aspectos anteriores al mismo tiempo.. Por lo tanto, en la actualidad, solo podemos adaptarnos a la I + D y la producción de dispositivos semiconductores emisores de luz en diferentes sustratos mediante el cambio de la tecnología de crecimiento epitaxial y el ajuste de la tecnología de procesamiento del dispositivo. Hay muchos materiales de sustrato para la investigación del nitruro de galio, pero solo hay dos sustratos que se pueden usar para la producción: zafiro Al2O3 y carburo de silicio.sustratos de SiC.
Hora de publicación: 28 de febrero de 2022