El recubrimiento de SiC se puede preparar mediante deposición química de vapor (CVD), transformación de precursores, pulverización de plasma, etc. El recubrimiento preparado mediante deposición QUÍMICA de vapor es uniforme y compacto, y tiene buena designabilidad. Utilizando metiltriclosilano. (CHzSiCl3, MTS) como fuente de silicio, el recubrimiento de SiC preparado mediante el método CVD es un método relativamente maduro para la aplicación de este recubrimiento.
El recubrimiento de SiC y el grafito tienen buena compatibilidad química, la diferencia del coeficiente de expansión térmica entre ellos es pequeña, el uso del recubrimiento de SiC puede mejorar efectivamente la resistencia al desgaste y la resistencia a la oxidación del material de grafito. Entre ellos, la relación estequiométrica, la temperatura de reacción, el gas de dilución, el gas de impureza y otras condiciones tienen una gran influencia en la reacción.
Hora de publicación: 14 de septiembre de 2022