Con la producción gradual en masa de sustratos conductores de SiC, se plantean mayores requisitos en cuanto a la estabilidad y repetibilidad del proceso. En particular, el control de defectos, el pequeño ajuste o deriva del campo térmico en el horno, provocará cambios cristalinos o el aumento de defectos. En el período posterior, debemos enfrentar el desafío de "crecer rápido, largo y grueso, y crecer". Además de mejorar la teoría y la ingeniería, también necesitamos materiales de campo térmico más avanzados como soporte. Utilice materiales avanzados, cultive cristales avanzados.
El uso inadecuado de materiales de crisol, como grafito, grafito poroso, polvo de carburo de tantalio, etc. en el campo caliente provocará defectos como una mayor inclusión de carbono. Además, en algunas aplicaciones, la permeabilidad del grafito poroso no es suficiente y se necesitan agujeros adicionales para aumentar la permeabilidad. El grafito poroso con alta permeabilidad enfrenta los desafíos de procesamiento, eliminación de polvo, grabado, etc.
VET presenta una nueva generación de material de campo térmico de crecimiento de cristales de SiC: el carburo de tantalio poroso. Un debut mundial.
La resistencia y dureza del carburo de tantalio son muy altas y hacerlo poroso es un desafío. Fabricar carburo de tantalio poroso con gran porosidad y alta pureza es un gran desafío. Hengpu Technology ha lanzado un innovador carburo de tantalio poroso de gran porosidad, con una porosidad máxima del 75%, líder mundial.
Se puede utilizar la filtración de componentes en fase gaseosa, el ajuste del gradiente de temperatura local, la dirección del flujo de material, el control de fugas, etc. Se puede utilizar con otro recubrimiento de carburo de tantalio sólido (compacto) o de carburo de tantalio de Hengpu Technology para formar componentes locales con diferente conductancia de flujo.
Algunos componentes se pueden reutilizar.
Hora de publicación: 14-jul-2023