Silicia karbido (SiC)semikonduktaĵmaterialo estas la plej matura unu inter la larĝa bendinterspaco duonkonduktaĵoj evoluigitaj. SiC-semikonduktaĵmaterialoj havas grandan aplikaĵon en alta temperaturo, altfrekvenco, alta potenco, fotoelektroniko kaj radiado imunaj aparatoj pro sia larĝa benda breĉo, alta paneo elektra kampo, alta varmokondukteco, alta saturiĝo elektrona movebleco kaj pli malgranda grandeco. Silicia karbido havas ampleksan gamon de aplikoj: pro ĝia larĝa benda breĉo, ĝi povas esti uzata por fari bluajn lum-eligantajn diodojn aŭ ultraviolajn detektilojn, kiuj apenaŭ estas trafitaj de sunlumo; Ĉar la tensio aŭ elektra kampo povas esti tolerita ok fojojn ol silicio aŭ galio arsenido, precipe taŭga por fabrikado de alta tensio alt-potenca aparatoj kiel alta tensio diodoj, potenco triodo, silicio kontrolita kaj alta potenco mikroonda aparatoj; Pro la alta saturiĝo elektrona migra rapido, povas esti farita en diversajn altfrekvencajn aparatojn (RF kaj mikroondoj);Silicia karbidoestas bona konduktilo de varmo kaj kondukas varmon pli bone ol iu ajn alia duonkondukta materialo, kio faras ke silicikarburaj aparatoj funkcias ĉe altaj temperaturoj.
Kiel specifa ekzemplo, APEI nuntempe prepariĝas evoluigi sian ekstreman ĉirkaŭan DC-motoran veturadsistemon por Venus Explorer (VISE) de NASA uzante silicikarbidkomponentojn. Ankoraŭ en la dezajnofazo, la celo estas surterigi esplorajn robotojn sur la surfacon de Venuso.
Krome, silikona karbidohavas fortan jonan kovalentan ligon, ĝi havas altan malmolecon, termikan konduktivecon super kupro, bonan varmodisipa agadon, korodan reziston estas tre forta, radiada rezisto, alta temperaturrezisto kaj bona kemia stabileco kaj aliaj propraĵoj, havas larĝan gamon de aplikoj en la kampo de aerspaca teknologio. Ekzemple, la uzo de siliciokarburaj materialoj por prepari kosmoŝipojn por astronaŭtoj, esploristoj por vivi kaj labori.
Afiŝtempo: Aŭg-01-2022