Modernaj C, N, B kaj aliaj ne-oksidaj altteknologiaj refractaj krudmaterialoj, atmosfera premo sinterigita siliciokarbido estas vasta, ekonomia, povas diri, ke estas smirgo aŭ obstina sablo. Pura siliciokarbido estas senkolora travidebla kristalo. Do kio estas la materiala strukturo kaj karakterizaĵoj de siliciokarbido?
Sinterigita siliciokarbido sub atmosfera premo
Materiala strukturo de atmosfera premo sinterigita siliciokarbido:
La atmosfera premo sintrita siliciokarbido uzata en industrio estas helflava, verda, blua kaj nigra laŭ la tipo kaj enhavo de malpuraĵoj, kaj la pureco estas malsama kaj la travidebleco estas malsama. La silicikarbura kristala strukturo estas dividita en sesvortan aŭ diamantforman plutonion kaj kuban plutonion-sic. Plutonio-sic formas diversajn deformadojn pro la malsama stakordigo de karbonaj kaj siliciaj atomoj en la kristala strukturo, kaj pli ol 70 specoj de deformado estis trovitaj. beta-SIC konvertiĝas al alfa-SIC super 2100. La industria procezo de siliciokarbido estas rafinita kun altkvalita kvarca sablo kaj naftokolao en rezista forno. Rafinitaj siliciokarburaj blokoj estas disbatitaj, acidbaza purigado, magneta apartigo, kribrado aŭ akva elekto por produkti diversajn partiklajn produktojn.
Materialaj karakterizaĵoj de atmosfera premo sinterigita siliciokarbido:
Silicia karbido havas bonan kemian stabilecon, termikan konduktivecon, termikan disvastigan koeficienton, eluziĝoreziston, do krom abrasiva uzo, ekzistas multaj uzoj: Ekzemple, la silicia karbura pulvoro estas kovrita sur la interna muro de la turbina impulsilo aŭ cilindra bloko per speciala procezo, kiu povas plibonigi la eluziĝoreziston kaj plilongigi la vivon de 1 ĝis 2 fojojn. Farita el varmorezista, eta grandeco, malpeza pezo, alta forto de altgradaj obstaklaj materialoj, energia efikeco estas tre bona. Malaltnivela siliciokarbido (inkluzive de ĉirkaŭ 85% SiC) estas bonega maloksidanto por pliigi ŝtalfaradrapidecon kaj facile kontroli kemian komponadon por plibonigi ŝtalkvaliton. Krome, atmosfera premo sinterigita siliciokarbido ankaŭ estas vaste uzata en la fabrikado de elektraj partoj de siliciaj karbonaj bastonoj.
Silicia karbido estas tre malmola. Morsa malmoleco estas 9,5, dua nur post la malmola diamanto de la mondo (10), estas duonkonduktaĵo kun bonega termika kondukteco, povas rezisti oksidadon ĉe altaj temperaturoj. Silicia karbido havas almenaŭ 70 kristalajn tipojn. Plutoni-silicia karbido estas ofta izomero kiu formiĝas ĉe temperaturoj super 2000 kaj havas sesangulan kristalan strukturon (similan al wurtzito). Sinterigita siliciokarbido sub atmosfera premo
Apliko de siliciokarbido en duonkondukta industrio
La siliciokarbura duonkondukta industrioĉeno ĉefe inkluzivas pulvoron de alta pureco de silicio-karburo, unukristala substrato, epitaxial folio, potencaj komponantoj, modulaj pakaĵoj kaj finaj aplikoj.
1. Unu kristala substrato Unu kristala substrato estas duonkondukta subtena materialo, kondukta materialo kaj epitaxial-kreska substrato. Nuntempe, la kreskmetodoj de SiC ununura kristalo inkluzivas fizikan vaportransigan metodon (PVT-metodon), likvan fazmetodon (LPE-metodon), kaj alttemperaturan kemian vapordeponan metodon (HTCVD-metodon). Sinterigita siliciokarbido sub atmosfera premo
2. Epitaxial folio Silicia carburo epitaxial folio, silicio-karbura folio, ununura kristala filmo (epitaxial-tavolo) kun la sama direkto kiel la substrata kristalo, kiu havas iujn postulojn por la silicio-karbura substrato. En praktikaj aplikoj, larĝaj bendaj duonkonduktaĵoj estas preskaŭ ĉiuj produktitaj en la epitaksia tavolo, kaj la siliciopeceto mem estas nur utiligita kiel la substrato, inkluzive de la substrato de GaN epitaksia tavolo.
3. Altpura silicia karbura pulvoro Altpura silicia karbura pulvoro estas la kruda materialo por la kresko de silicia karbura ununura kristalo per PVT-metodo, kaj la pureco de la produkto rekte influas la kreskokvaliton kaj elektrajn trajtojn de silicia karbura unukristalo.
4. La potenca aparato estas larĝa bando-potenco farita el silicio-karbura materialo, kiu havas la karakterizaĵojn de alta temperaturo, alta ofteco kaj alta efikeco. Laŭ la funkcianta formo de la aparato, la SiC-elektra nutra aparato ĉefe inkluzivas potencan diodon kaj elektran ŝaltilon.
5. Fina stacio En triageneraciaj duonkonduktaĵoj, siliciokarburaj duonkonduktaĵoj havas la avantaĝon esti komplementaj al galiumnitruro duonkonduktaĵoj. Pro la alta konverta efikeco, malaltaj hejtaj trajtoj, malpezaj kaj aliaj avantaĝoj de SiC-aparatoj, la postulo de la kontraŭflua industrio daŭre pliiĝas, kaj estas tendenco anstataŭigi SiO2-aparatojn.
Afiŝtempo: Jun-16-2023