KIEL FARI SILICONA OBLATO
A olatoestas tranĉaĵo de silicio proksimume 1 milimetron dika kiu havas ekstreme ebenan surfacon danke al proceduroj kiuj estas teknike tre postulemaj. La posta uzo determinas kiu kristala kultivadprocedo devus esti utiligita. En la Czochralski-procezo, ekzemple, la polikristala silicio estas fandita kaj krajon-maldika semkristalo estas trempita en la fanditan silicion. La semkristalo tiam estas turnita kaj malrapide tirita supren. Tre peza koloso, monokristalo, rezultas. Estas eble elekti la elektrajn karakterizaĵojn de la monokristalo aldonante malgrandajn unuojn de altpurecaj dopantoj. La kristaloj estas dopitaj laŭ la specifoj de la kliento kaj poste poluritaj kaj tranĉitaj en tranĉaĵoj. Post diversaj pliaj produktaj paŝoj, la kliento ricevas siajn specifitajn oblatojn en speciala pakaĵo, kio permesas al la kliento uzi la oblaton tuj en sia produktadlinio.
CZOCHRALSKI PROCESO
Hodiaŭ, granda parto de la siliciaj monokristaloj estas kultivita laŭ la Czochralski-procezo, kiu implikas fandi polikristalan altpuran silicion en hiperpura kvarc krisolo kaj aldoni la dopanton (kutime B, P, As, Sb). Maldika, monokristala semkristalo estas trempita en la fanditan silicion. Granda CZ-kristalo tiam formiĝas el tiu maldika kristalo. Preciza reguligo de la fandita silicio-temperaturo kaj fluo, la kristala kaj krisolrotacio, same kiel la kristala tira rapideco rezultigas ekstreme altkvalitan monokristalan silician ingoton.
METODO DE FLOSZONO
Monokristaloj fabrikitaj laŭ la metodo de floszono estas idealaj por uzo en potencaj semikonduktaĵkomponentoj, kiel ekzemple IGBToj. Cilindra polikristala silicia ingoto estas muntita super induktovolvaĵo. Radiofrekvenca elektromagneta kampo helpas fandi la silicion de la malsupra parto de la bastono. La elektromagneta kampo reguligas la siliciofluon tra malgranda truo en la induktovolvaĵo kaj sur la monokristalon kiu kuŝas malsupre (flosadzonmetodo). La dopado, kutime kun B aŭ P, estas atingita per aldono de gasaj substancoj.
Afiŝtempo: Jun-07-2021