Yn aml yn canolbwyntio ar y cwsmer, a'n targed yn y pen draw yw dod nid yn unig yn ôl pob tebyg y darparwr mwyaf dibynadwy, dibynadwy a gonest, ond hefyd yn bartner i'n cwsmeriaid ar gyfer Dyddodiad Anwedd Cemegol Gwell Plasma Tsieina 1200c Pris Isaf Mawr.PecvdHwyl Gwactod, I ddysgu mwy am yr hyn y gallwn ei wneud i chi, cysylltwch â ni unrhyw bryd. Edrychwn ymlaen at sefydlu perthnasoedd busnes da a hirdymor gyda chi.
Yn aml yn canolbwyntio ar y cwsmer, a'n targed yn y pen draw yw dod nid yn unig yn ôl pob tebyg y darparwr mwyaf dibynadwy, dibynadwy a gonest, ond hefyd yn bartner i'n cwsmeriaid ar gyferPlasma Tsieina Gwell Dyddodiad Anwedd Cemegol, Pecvd, Mae ein offer uwch, rheoli ansawdd rhagorol, gallu ymchwil a datblygu yn gwneud ein pris i lawr. Efallai nad yw'r pris rydyn ni'n ei gynnig yr isaf, ond rydyn ni'n gwarantu ei fod yn gwbl gystadleuol! Croeso i gysylltu â ni ar unwaith ar gyfer perthynas fusnes yn y dyfodol a llwyddiant i'r ddwy ochr!
Cyfansoddion carbon / carbon(y cyfeirir ati yma wedi hyn fel “C/C neu CFC”) yn fath o ddeunydd cyfansawdd sy'n seiliedig ar garbon ac wedi'i atgyfnerthu gan ffibr carbon a'i gynhyrchion (preform ffibr carbon). Mae ganddo syrthni carbon a chryfder uchel ffibr carbon. Mae ganddo briodweddau mecanyddol da, ymwrthedd gwres, ymwrthedd cyrydiad, dampio ffrithiant a nodweddion dargludedd thermol a thrydanol
CVD-SiCmae gan y cotio nodweddion strwythur unffurf, deunydd cryno, ymwrthedd tymheredd uchel, ymwrthedd ocsideiddio, purdeb uchel, ymwrthedd asid ac alcali ac adweithydd organig, gyda phriodweddau ffisegol a chemegol sefydlog.
O'i gymharu â deunyddiau graffit purdeb uchel, mae graffit yn dechrau ocsideiddio ar 400C, a fydd yn achosi colli powdr oherwydd ocsidiad, gan arwain at lygredd amgylcheddol i ddyfeisiau ymylol a siambrau gwactod, a chynyddu amhureddau amgylchedd purdeb uchel.
Fodd bynnag, gall cotio SiC gynnal sefydlogrwydd ffisegol a chemegol ar 1600 gradd, Fe'i defnyddir yn eang mewn diwydiant modern, yn enwedig mewn diwydiant lled-ddargludyddion.
Mae ein cwmni'n darparu gwasanaethau proses cotio SiC trwy ddull CVD ar wyneb graffit, cerameg a deunyddiau eraill, fel bod nwyon arbennig sy'n cynnwys carbon a silicon yn adweithio ar dymheredd uchel i gael moleciwlau SiC purdeb uchel, moleciwlau a adneuwyd ar wyneb y deunyddiau gorchuddio, ffurfio haen amddiffynnol SIC. Mae'r SIC a ffurfiwyd wedi'i bondio'n gadarn i'r sylfaen graffit, gan roi priodweddau arbennig i'r sylfaen graffit, gan wneud wyneb y cryno graffit, di-mandylledd, ymwrthedd tymheredd uchel, ymwrthedd cyrydiad a gwrthiant ocsideiddio.
Prif nodweddion:
1. Gwrthiant ocsideiddio tymheredd uchel:
mae'r ymwrthedd ocsideiddio yn dal yn dda iawn pan fo'r tymheredd mor uchel â 1600 C.
2. purdeb uchel: wedi'i wneud gan ddyddodiad anwedd cemegol o dan gyflwr clorineiddio tymheredd uchel.
3. Gwrthiant erydiad: caledwch uchel, arwyneb cryno, gronynnau mân.
4. ymwrthedd cyrydiad: adweithyddion asid, alcali, halen ac organig.
Prif Fanylebau Haenau CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Dwysedd | (g/cc)
| 3.21 |
| Cryfder hyblyg | (Mpa)
| 470 |
| Ehangu thermol | (10-6/K) | 4
|
| Dargludedd thermol | (W/mK) | 300
|
