SiC Sintered Silicon Carbide Ceramig Bushing

Disgrifiad Byr:

Cyfansoddiad Cemegol: Silicon Carbide

Caledwch: ≥110 HS

Dwysedd: 3.10-3.15 g/cm3

Cryfder Plygu:> 350MPa

Dargludedd thermol:> 120

Anfonwch e-bost atom Lawrlwythwch fel PDF

Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Sintered Silicon Carbide Ceramig Bushing

Carbid silicon sintered di-bwysedd (SSIC)yn cael ei gynhyrchu gan ddefnyddio powdr SiC mân iawn sy'n cynnwys ychwanegion sintro. Mae'n cael ei brosesu gan ddefnyddio dulliau ffurfio sy'n nodweddiadol ar gyfer cerameg eraill a'i sintro ar 2,000 i 2,200 ° C mewn awyrgylch nwy anadweithiol. Yn ogystal â fersiynau mân, gyda meintiau grawn <5 um, fersiynau bras-graen gyda meintiau grawn o hyd at 1.5 mm ar gael.

Mae SSIC yn cael ei wahaniaethu gan gryfder uchel sy'n aros bron yn gyson hyd at dymheredd uchel iawn (tua 1,600 ° C), gan gynnal y cryfder hwnnw dros gyfnodau hir!

Manteision cynnyrch:

Gwrthiant ocsideiddio tymheredd uchel

Ardderchog ymwrthedd cyrydiad

Gwrthiant crafiadau da

Cyfernod uchel o dargludedd gwres
Hunan-lubricity, dwysedd isel
Caledwch uchel
Dyluniad wedi'i addasu.

Priodweddau technegol:

Eitemau	Uned	Data
Caledwch	HS	≥110
Cyfradd mandylledd	%	<0.3
Dwysedd	g/cm3	3.10-3.15
Cywasgol	MPa	>2200
Nerth Ffracwrol	MPa	>350
Cyfernod ehangu	10/°C	4.0
Cynnwys Sic	%	≥99
Dargludedd thermol	W/mk	>120
Modwlws Elastig	GPa	≥400
Tymheredd	°C	1380. llarieidd-dra eg