Mae'r profiadau gweinyddu prosiectau hynod gyfoethog a model gwasanaeth person i 1 yn gwneud pwysigrwydd sylweddol cyfathrebu sefydliad a'n dealltwriaeth hawdd o'ch disgwyliadau ar gyfer Tsieina Proffesiynol Tsieina Sic Boat Cario Wafferi Silicon I Mewn i'r Tiwb Ffwrnais Gorchuddio Tryledu Tymheredd Uchel, Ein nod yn y pen draw yw bob amser i raddio fel brand gorau a hefyd i arwain fel arloeswr yn ein maes. Rydym yn siŵr y bydd ein profiad cynhyrchiol o greu offer yn ennyn ymddiriedaeth cwsmeriaid, Yn dymuno cydweithredu a chyd-greu tymor hir hyd yn oed yn well gyda chi!
Mae'r profiadau gweinyddu prosiectau hynod gyfoethog a'r model gwasanaeth person i 1 yn golygu bod cyfathrebu sefydliadol yn bwysig iawn a'n dealltwriaeth hawdd o'ch disgwyliadau ar gyferTsieina Cludo Silicon Wafferi, Wafer Silicon Polycrystallie, Croeso i unrhyw un o'ch ymholiadau a'ch pryderon am ein cynnyrch. Edrychwn ymlaen at sefydlu perthynas fusnes hirdymor gyda chi yn y dyfodol agos. Cysylltwch â ni heddiw. Ni yw'r partner busnes cyntaf i weddu i'ch anghenion!
CynnyrchDysgrif
Defnyddir Cychod Wafer Silicon carbid yn eang fel deiliad wafer mewn proses tryledu tymheredd uchel.
Manteision:
Gwrthiant tymheredd uchel:defnydd arferol ar 1800 ℃
Dargludedd thermol uchel:sy'n cyfateb i ddeunydd graffit
Caledwch uchel:caledwch yn ail yn unig i diemwnt, boron nitrid
Gwrthsefyll cyrydiad:nid oes gan asid cryf ac alcali unrhyw gyrydiad iddo, mae'r ymwrthedd cyrydiad yn well na charbid twngsten ac alwmina
Pwysau ysgafn:dwysedd isel, yn agos at alwminiwm
Dim dadffurfiad: cyfernod isel o ehangu thermol
Gwrthiant sioc thermol:gall wrthsefyll newidiadau tymheredd sydyn, gwrthsefyll sioc thermol, ac mae ganddo berfformiad sefydlog
Priodweddau Corfforol SiC
Eiddo | Gwerth | Dull |
Dwysedd | 3.21 g/cc | Sinc-float a dimensiwn |
Gwres penodol | 0.66 J/g °K | Fflach laser pwls |
Cryfder hyblyg | 450 MPa560 MPa | Tro 4 pwynt, tro pwynt RT4, 1300 ° |
Gwydnwch torri asgwrn | 2.94 MPa m1/2 | Microindentation |
Caledwch | 2800 | Vicker's, llwyth 500g |
Modwlws Elastig ModwlwsYoung | 450 GPa430 GPa | Tro 4 pt, tro RT4 pt, 1300 ° C |
Maint grawn | 2 – 10 µm | SEM |
Priodweddau Thermol SiC
Dargludedd Thermol | 250 W/m °K | Dull fflach laser, RT |
Ehangu Thermol (CTE) | 4.5 x 10-6 °K | Tymheredd yr ystafell i 950 ° C, deilomedr silica |