Cwch Sic Tsieina Proffesiynol Tsieina Cludo Wafferi Silicon I Mewn i'r Tiwb Ffwrnais Gorchuddio Trylediad Tymheredd Uchel

Disgrifiad Byr:


Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Mae'r profiadau gweinyddu prosiectau hynod gyfoethog a model gwasanaeth person i 1 yn gwneud pwysigrwydd sylweddol cyfathrebu sefydliad a'n dealltwriaeth hawdd o'ch disgwyliadau ar gyfer Tsieina Proffesiynol Tsieina Sic Boat Cario Wafferi Silicon I Mewn i'r Tiwb Ffwrnais Gorchuddio Tryledu Tymheredd Uchel, Ein nod yn y pen draw yw bob amser i raddio fel brand gorau a hefyd i arwain fel arloeswr yn ein maes. Rydym yn siŵr y bydd ein profiad cynhyrchiol o greu offer yn ennyn ymddiriedaeth cwsmeriaid, Yn dymuno cydweithredu a chyd-greu tymor hir hyd yn oed yn well gyda chi!
Mae'r profiadau gweinyddu prosiectau hynod gyfoethog a'r model gwasanaeth person i 1 yn golygu bod cyfathrebu sefydliadol yn bwysig iawn a'n dealltwriaeth hawdd o'ch disgwyliadau ar gyferTsieina Cludo Silicon Wafferi, Wafer Silicon Polycrystallie, Croeso i unrhyw un o'ch ymholiadau a'ch pryderon am ein cynnyrch. Edrychwn ymlaen at sefydlu perthynas fusnes hirdymor gyda chi yn y dyfodol agos. Cysylltwch â ni heddiw. Ni yw'r partner busnes cyntaf i weddu i'ch anghenion!
CynnyrchDysgrif

Defnyddir Cychod Wafer Silicon carbid yn eang fel deiliad wafer mewn proses tryledu tymheredd uchel.

Manteision:

Gwrthiant tymheredd uchel:defnydd arferol ar 1800 ℃

Dargludedd thermol uchel:sy'n cyfateb i ddeunydd graffit

Caledwch uchel:caledwch yn ail yn unig i diemwnt, boron nitrid

Gwrthsefyll cyrydiad:nid oes gan asid cryf ac alcali unrhyw gyrydiad iddo, mae'r ymwrthedd cyrydiad yn well na charbid twngsten ac alwmina

Pwysau ysgafn:dwysedd isel, yn agos at alwminiwm

Dim dadffurfiad: cyfernod isel o ehangu thermol

Gwrthiant sioc thermol:gall wrthsefyll newidiadau tymheredd sydyn, gwrthsefyll sioc thermol, ac mae ganddo berfformiad sefydlog

 

Priodweddau Corfforol SiC

Eiddo Gwerth Dull
Dwysedd 3.21 g/cc Sinc-float a dimensiwn
Gwres penodol 0.66 J/g °K Fflach laser pwls
Cryfder hyblyg 450 MPa560 MPa Tro 4 pwynt, tro pwynt RT4, 1300 °
Gwydnwch torri asgwrn 2.94 MPa m1/2 Microindentation
Caledwch 2800 Vicker's, llwyth 500g
Modwlws Elastig ModwlwsYoung 450 GPa430 GPa Tro 4 pt, tro RT4 pt, 1300 ° C
Maint grawn 2 – 10 µm SEM

 

Priodweddau Thermol SiC

Dargludedd Thermol 250 W/m °K Dull fflach laser, RT
Ehangu Thermol (CTE) 4.5 x 10-6 °K Tymheredd yr ystafell i 950 ° C, deilomedr silica

 

 

cwch1   cwch2

cwch3   cwch4


  • Pâr o:
  • Nesaf:

  • Sgwrs WhatsApp Ar-lein!