Beth yw'r gwahaniaeth rhwng PECVD a LPCVD mewn offer CVD lled-ddargludyddion?

Dyddodiad anwedd cemegol (CVD) yn cyfeirio at y broses o adneuo ffilm solet ar wyneb siliconwaffertrwy adwaith cemegol o gymysgedd nwy. Yn ôl y gwahanol amodau adwaith (pwysau, rhagflaenydd), gellir ei rannu'n wahanol fodelau offer.

Ar gyfer pa brosesau y defnyddir y ddau ddyfais hyn?

PECVDOffer (Plasma Gwell) yw'r offer mwyaf niferus a mwyaf cyffredin a ddefnyddir yn OX, Nitride, giât fetel, carbon amorffaidd, ac ati; Defnyddir LPCVD (Pŵer Isel) fel arfer mewn Nitride, poly, TEOS.
Beth yw'r egwyddor?
PECVD - proses sy'n cyfuno egni plasma a CVD yn berffaith. Mae technoleg PECVD yn defnyddio plasma tymheredd isel i ysgogi gollyngiad glow yn catod y siambr broses (hy, hambwrdd sampl) o dan bwysau isel. Gall y gollyngiad glow hwn neu ddyfais wresogi arall godi tymheredd y sampl i lefel a bennwyd ymlaen llaw, ac yna cyflwyno swm rheoledig o nwy proses. Mae'r nwy hwn yn cael cyfres o adweithiau cemegol a phlasma, ac yn olaf yn ffurfio ffilm solet ar wyneb y sampl.

LPCVD - Mae dyddodiad anwedd cemegol pwysedd isel (LPCVD) wedi'i gynllunio i leihau pwysedd gweithredu'r nwy adwaith yn yr adweithydd i tua 133Pa neu lai.

Beth yw nodweddion pob un?

PECVD - Proses sy'n cyfuno egni plasma a CVD yn berffaith: 1) Gweithrediad tymheredd isel (gan osgoi difrod tymheredd uchel i'r offer); 2) Twf ffilm cyflym; 3) Ddim yn bigog am ddeunyddiau, gall OX, Nitride, giât fetel, carbon amorffaidd i gyd dyfu; 4) Mae system fonitro in-situ, a all addasu'r rysáit trwy baramedrau ïon, cyfradd llif nwy, tymheredd a thrwch ffilm.
LPCVD - Bydd gan ffilmiau tenau a adneuwyd gan LPCVD sylw cam gwell, cyfansoddiad a rheolaeth strwythur da, cyfradd dyddodiad uchel ac allbwn. Yn ogystal, nid oes angen nwy cludo ar LPCVD, felly mae'n lleihau ffynhonnell llygredd gronynnau yn fawr ac fe'i defnyddir yn eang mewn diwydiannau lled-ddargludyddion gwerth ychwanegol uchel ar gyfer dyddodiad ffilm tenau.