Silicon carbidyn gyfansoddyn caled sy'n cynnwys silicon a charbon, ac fe'i darganfyddir mewn natur fel y moissanite mwynol hynod brin. Gellir bondio gronynnau silicon carbid gyda'i gilydd trwy sintering i ffurfio cerameg galed iawn, a ddefnyddir yn eang mewn cymwysiadau sydd angen gwydnwch uchel, yn enwedig mewn gorymdaith lled-ddargludyddion.
Strwythur ffisegol SiC
Beth yw Cotio SiC?
Mae cotio SiC yn orchudd carbid silicon trwchus sy'n gwrthsefyll traul gyda gwrthsefyll cyrydiad a gwres uchel a dargludedd thermol rhagorol. Defnyddir y cotio SiC purdeb uchel hwn yn bennaf yn y diwydiannau lled-ddargludyddion ac electroneg i amddiffyn cludwyr wafferi, sylfeini ac elfennau gwresogi rhag amgylcheddau cyrydol ac adweithiol. Mae cotio SiC hefyd yn addas ar gyfer ffwrneisi gwactod a gwresogi sampl mewn amgylcheddau gwactod uchel, adweithiol ac ocsigen.
Arwyneb cotio SiC purdeb uchel
Beth yw'r broses cotio SiC?
Mae haen denau o silicon carbide yn cael ei adneuo ar wyneb y swbstrad gan ddefnyddioCVD (dyddodiad anwedd cemegol). Mae dyddodiad fel arfer yn cael ei wneud ar dymheredd o 1200-1300 ° C a dylai ymddygiad ehangu thermol y deunydd swbstrad fod yn gydnaws â'r cotio SiC i leihau straen thermol.
STRWYTHUR CRYSTAL FFILM Gorchuddio CVD SIC
Mae priodweddau ffisegol cotio SiC yn cael eu hadlewyrchu'n bennaf yn ei wrthwynebiad tymheredd uchel, caledwch, ymwrthedd cyrydiad a dargludedd thermol.
Mae paramedrau ffisegol nodweddiadol fel a ganlyn:
Caledwch: Yn nodweddiadol mae gan cotio SiC Galedwch Vickers yn yr ystod o 2000-2500 HV, sy'n rhoi ymwrthedd traul ac effaith hynod o uchel iddynt mewn cymwysiadau diwydiannol.
Dwysedd: Yn nodweddiadol mae gan haenau SiC ddwysedd o 3.1-3.2 g / cm³. Mae'r dwysedd uchel yn cyfrannu at gryfder mecanyddol a gwydnwch y cotio.
Dargludedd thermol: Mae gan haenau SiC ddargludedd thermol uchel, yn nodweddiadol yn yr ystod o 120-200 W / mK (ar 20 ° C). Mae hyn yn rhoi dargludedd thermol da iddo mewn amgylcheddau tymheredd uchel ac yn ei gwneud yn arbennig o addas ar gyfer offer trin gwres yn y diwydiant lled-ddargludyddion.
Ymdoddbwynt: mae gan garbid silicon bwynt toddi o tua 2730 ° C ac mae ganddo sefydlogrwydd thermol rhagorol ar dymheredd eithafol.
Cyfernod Ehangu Thermol: Mae gan haenau SiC gyfernod llinol isel o ehangu thermol (CTE), yn nodweddiadol yn yr ystod o 4.0-4.5 µm/mK (yn y 25-1000 ℃). Mae hyn yn golygu bod ei sefydlogrwydd dimensiwn yn ardderchog dros wahaniaethau tymheredd mawr.
Gwrthsefyll cyrydiad: Mae haenau SiC yn gallu gwrthsefyll cyrydiad yn fawr mewn amgylcheddau asid cryf, alcali ac ocsideiddio, yn enwedig wrth ddefnyddio asidau cryf (fel HF neu HCl), mae eu gwrthiant cyrydiad yn llawer uwch na deunyddiau metel confensiynol.
Gellir gosod haenau SiC ar y deunyddiau canlynol:
Graffit isostatig purdeb uchel (CTE isel)
Twngsten
Molybdenwm
Silicon carbid
Silicon Nitrid
Cyfansoddion Carbon-Carbon (CFC)
Defnyddir cynhyrchion wedi'u gorchuddio â SiC yn gyffredin yn y meysydd canlynol:
Cynhyrchu sglodion LED
Cynhyrchu polysilicon
Lled-ddargludyddtwf grisial
silicon aepitaxy SiC
Triniaeth wres wafer ac ysgythru
Pam dewis VET Energy?
Mae VET Energy yn wneuthurwr blaenllaw, yn arloeswr ac yn arweinydd cynhyrchion cotio SiC yn Tsieina, ac mae'r prif gynhyrchion cotio SiC yn cynnwyscludwr wafferi gyda gorchudd SiC, SiC gorchuddiosusceptor epitaxial, Modrwy graffit wedi'i gorchuddio â SiC, Rhannau hanner lleuad gyda gorchudd SiC, Cyfansawdd carbon-carbon wedi'i orchuddio â SiC, Cwch waffer wedi'i orchuddio â SiC, Gwresogydd wedi'i orchuddio â SiC, ac ati Mae VET Energy wedi ymrwymo i ddarparu'r atebion technoleg a chynnyrch eithaf i'r diwydiant lled-ddargludyddion, ac mae'n cefnogi gwasanaethau addasu. Edrychwn ymlaen yn ddiffuant at fod yn bartner hirdymor i chi yn Tsieina.
Os oes gennych unrhyw ymholiadau neu os oes angen manylion ychwanegol arnoch, mae croeso i chi gysylltu â ni.
Whatsapp&Wechat:+86-18069021720
Email: steven@china-vet.com
Amser post: Hydref-18-2024