Gellir paratoi cotio SiC trwy ddyddodiad anwedd cemegol (CVD), trawsnewid rhagflaenydd, chwistrellu plasma, ac ati. Mae'r cotio a baratowyd gan ddyddodiad anwedd CEMEGOL yn unffurf ac yn gryno, ac mae ganddo ddyluniad da. Gan ddefnyddio methyl trichlosilane. (CHzSiCl3, MTS) fel ffynhonnell silicon, mae cotio SiC a baratowyd gan ddull CVD yn ddull cymharol aeddfed ar gyfer cymhwyso'r cotio hwn.
Mae gan cotio SiC a graffit gydnaws cemegol da, mae'r gwahaniaeth o gyfernod ehangu thermol rhyngddynt yn fach, gall defnyddio cotio SiC wella ymwrthedd gwisgo a gwrthiant ocsideiddio deunydd graffit yn effeithiol. Yn eu plith, mae cymhareb stoichiometrig, tymheredd adwaith, nwy gwanhau, nwy amhuredd ac amodau eraill yn cael dylanwad mawr ar yr adwaith.
Amser post: Medi-14-2022