Modern C, N, B ac eraill nad ydynt yn ocsid uwch-dechnoleg deunyddiau crai anhydrin, pwysau atmosfferig sintered silicon carbide yn helaeth, economaidd, gellir dweud i fod yn emery neu dywod anhydrin. Mae carbid silicon pur yn grisial tryloyw di-liw. Felly beth yw strwythur deunydd a nodweddion carbid silicon?
Carbid silicon sintered o dan bwysau atmosfferig
Strwythur materol carbid silicon wedi'i sintro â gwasgedd atmosfferig:
Mae'r carbid silicon sintered pwysedd atmosfferig a ddefnyddir mewn diwydiant yn felyn golau, gwyrdd, glas a du yn ôl math a chynnwys amhureddau, ac mae'r purdeb yn wahanol ac mae'r tryloywder yn wahanol. Rhennir y strwythur grisial carbid silicon yn blwtoniwm siâp chwe gair neu ddiamwnt a phlwtoniwm-sic ciwbig. Mae plwtoniwm-sic yn ffurfio amrywiaeth o anffurfiad oherwydd y gwahanol drefn stacio o atomau carbon a silicon yn y strwythur grisial, a darganfuwyd mwy na 70 math o anffurfiad. mae beta-SIC yn trosi i alffa-SIC uwchlaw 2100. Mae'r broses ddiwydiannol o carbid silicon yn cael ei fireinio â thywod cwarts o ansawdd uchel a golosg petrolewm mewn ffwrnais ymwrthedd. Mae blociau carbid silicon wedi'u mireinio yn cael eu malu, glanhau asid-sylfaen, gwahanu magnetig, sgrinio neu ddethol dŵr i gynhyrchu amrywiaeth o gynhyrchion maint gronynnau.
Nodweddion materol carbid silicon sintered pwysedd atmosfferig:
Mae gan silicon carbid sefydlogrwydd cemegol da, dargludedd thermol, cyfernod ehangu thermol, ymwrthedd gwisgo, felly yn ogystal â defnydd sgraffiniol, mae yna lawer o ddefnyddiau: Er enghraifft, mae'r powdr carbid silicon wedi'i orchuddio ar wal fewnol y impeller tyrbin neu'r bloc silindr gyda proses arbennig, a all wella'r ymwrthedd gwisgo ac ymestyn oes 1 i 2 waith. Wedi'i wneud o wrthsefyll gwres, maint bach, pwysau ysgafn, cryfder uchel o ddeunyddiau gwrthsafol gradd uchel, mae effeithlonrwydd ynni yn dda iawn. Mae carbid silicon gradd isel (gan gynnwys tua 85% SiC) yn ddadocsidydd rhagorol ar gyfer cynyddu cyflymder gwneud dur a rheoli cyfansoddiad cemegol yn hawdd i wella ansawdd dur. Yn ogystal, mae carbid silicon sintered pwysedd atmosfferig hefyd yn cael ei ddefnyddio'n helaeth wrth gynhyrchu rhannau trydanol o wialen carbon silicon.
Mae silicon carbid yn galed iawn. Caledwch Morse yw 9.5, yn ail yn unig i diemwnt caled y byd (10), yn lled-ddargludydd gyda dargludedd thermol rhagorol, yn gallu gwrthsefyll ocsideiddio ar dymheredd uchel. Mae gan silicon carbid o leiaf 70 math crisialog. Mae carbid plwtoniwm-silicon yn isomer cyffredin sy'n ffurfio ar dymheredd uwch na 2000 ac mae ganddo strwythur crisialog hecsagonol (tebyg i wurtzite). Carbid silicon sintered o dan bwysau atmosfferig
Cymhwyso carbid silicon mewn diwydiant lled-ddargludyddion
Mae cadwyn diwydiant lled-ddargludyddion carbid silicon yn bennaf yn cynnwys powdr purdeb uchel carbid silicon, swbstrad grisial sengl, taflen epitaxial, cydrannau pŵer, pecynnu modiwl a chymwysiadau terfynol.
1. swbstrad grisial sengl Mae swbstrad grisial sengl yn ddeunydd ategol lled-ddargludyddion, deunydd dargludol a swbstrad twf epitaxial. Ar hyn o bryd, mae dulliau twf grisial sengl SiC yn cynnwys dull trosglwyddo anwedd corfforol (dull PVT), dull cyfnod hylif (dull LPE), a dull dyddodiad anwedd cemegol tymheredd uchel (dull HTCVD). Carbid silicon sintered o dan bwysau atmosfferig
2. Taflen epitaxial Taflen epitaxial silicon carbide, taflen carbid silicon, ffilm grisial sengl (haen epitaxial) gyda'r un cyfeiriad â'r grisial swbstrad sydd â gofynion penodol ar gyfer y swbstrad carbid silicon. Mewn cymwysiadau ymarferol, mae dyfeisiau lled-ddargludyddion bwlch band eang bron i gyd yn cael eu cynhyrchu yn yr haen epitaxial, a dim ond fel y swbstrad y defnyddir y sglodion silicon ei hun, gan gynnwys y swbstrad o haen epitaxial GaN.
3. Powdr carbid silicon purdeb uchel Powdr carbid silicon purdeb uchel yw'r deunydd crai ar gyfer twf crisial sengl carbid silicon trwy ddull PVT, ac mae purdeb y cynnyrch yn effeithio'n uniongyrchol ar ansawdd twf a nodweddion trydanol grisial sengl carbid silicon.
4. Mae'r ddyfais pŵer yn bŵer band eang wedi'i wneud o ddeunydd silicon carbid, sydd â nodweddion tymheredd uchel, amledd uchel ac effeithlonrwydd uchel. Yn ôl ffurf weithredol y ddyfais, mae dyfais cyflenwad pŵer SiC yn bennaf yn cynnwys deuod pŵer a thiwb switsh pŵer.
5. Terfynell Mewn cymwysiadau lled-ddargludyddion trydydd cenhedlaeth, mae gan lled-ddargludyddion carbid silicon y fantais o fod yn gyflenwol i lled-ddargludyddion gallium nitride. Oherwydd yr effeithlonrwydd trosi uchel, nodweddion gwresogi isel, ysgafn a manteision eraill dyfeisiau SiC, mae galw'r diwydiant i lawr yr afon yn parhau i gynyddu, ac mae tueddiad i ddisodli dyfeisiau SiO2.
Amser postio: Mehefin-16-2023