Gwialen graffit electrod carbon silicon, gwialen carbid silicon

Disgrifiad Byr:


Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Mae ein corfforaeth yn mynnu ar hyd y polisi ansawdd o “ansawdd uchaf cynnyrch yw sylfaen goroesiad sefydliad; pleser prynwr fydd man cychwyn a diwedd cwmni; gwelliant parhaus yw mynd ar drywydd staff yn dragwyddol” ynghyd â phwrpas cyson “enw da yn gyntaf, prynwr yn gyntaf” ar gyfer Ffatri Cyflenwi Bloc Electro Graffit Tsieina yn Uniongyrchol, Mae staff ein busnes gyda'r holl ddefnydd o dechnolegau blaengar yn darparu atebion rhagorol rhagorol sy'n cael eu gwerthfawrogi'n fawr. ac yn cael ei werthfawrogi gan ein cwsmeriaid yn fyd-eang.
Mae ein corfforaeth yn mynnu ar hyd y polisi ansawdd o “ansawdd uchaf cynnyrch yw sylfaen goroesiad sefydliad; pleser prynwr fydd man cychwyn a diwedd cwmni; gwelliant parhaus yw erlid tragwyddol staff” ynghyd â diben cyson “enw da yn gyntaf, prynwr yn gyntaf” ar gyferBloc Carbon, Bloc graffit Tsieina, Mae ein staff yn cadw at yr ysbryd "Datblygiad Rhyngweithiol a Seiliedig ar Uniondeb", a'r egwyddor o "Ansawdd o'r Radd Flaenaf gyda Gwasanaeth Ardderchog". Yn ôl anghenion pob cwsmer, rydym yn darparu gwasanaethau wedi'u haddasu a'u personoli i helpu cwsmeriaid i gyflawni eu nodau yn llwyddiannus. Croeso cleientiaid o gartref a thramor i alw ac ymholi!

Disgrifiad o'r Cynnyrch

Cyfansoddion carbon / carbon(y cyfeirir ati yma wedi hyn fel “C/C neu CFC”) yn fath o ddeunydd cyfansawdd sy'n seiliedig ar garbon ac wedi'i atgyfnerthu gan ffibr carbon a'i gynhyrchion (preform ffibr carbon). Mae ganddo syrthni carbon a chryfder uchel ffibr carbon. Mae ganddo briodweddau mecanyddol da, ymwrthedd gwres, ymwrthedd cyrydiad, dampio ffrithiant a nodweddion dargludedd thermol a thrydanol

CVD-SiCmae gan y cotio nodweddion strwythur unffurf, deunydd cryno, ymwrthedd tymheredd uchel, ymwrthedd ocsideiddio, purdeb uchel, ymwrthedd asid ac alcali ac adweithydd organig, gyda phriodweddau ffisegol a chemegol sefydlog.

O'i gymharu â deunyddiau graffit purdeb uchel, mae graffit yn dechrau ocsideiddio ar 400C, a fydd yn achosi colli powdr oherwydd ocsidiad, gan arwain at lygredd amgylcheddol i ddyfeisiau ymylol a siambrau gwactod, a chynyddu amhureddau amgylchedd purdeb uchel.

Fodd bynnag, gall cotio SiC gynnal sefydlogrwydd ffisegol a chemegol ar 1600 gradd, Fe'i defnyddir yn eang mewn diwydiant modern, yn enwedig mewn diwydiant lled-ddargludyddion.

Mae ein cwmni'n darparu gwasanaethau proses cotio SiC trwy ddull CVD ar wyneb graffit, cerameg a deunyddiau eraill, fel bod nwyon arbennig sy'n cynnwys carbon a silicon yn adweithio ar dymheredd uchel i gael moleciwlau SiC purdeb uchel, moleciwlau a adneuwyd ar wyneb y deunyddiau gorchuddio, ffurfio haen amddiffynnol SIC. Mae'r SIC a ffurfiwyd wedi'i bondio'n gadarn i'r sylfaen graffit, gan roi priodweddau arbennig i'r sylfaen graffit, gan wneud wyneb y cryno graffit, di-mandylledd, ymwrthedd tymheredd uchel, ymwrthedd cyrydiad a gwrthiant ocsideiddio.

 Prosesu cotio SiC ar susceptors MOCVD wyneb graffit

Prif nodweddion:

1. Gwrthiant ocsideiddio tymheredd uchel:

mae'r ymwrthedd ocsideiddio yn dal yn dda iawn pan fo'r tymheredd mor uchel â 1600 C.

2. purdeb uchel: wedi'i wneud gan ddyddodiad anwedd cemegol o dan gyflwr clorineiddio tymheredd uchel.

3. Gwrthiant erydiad: caledwch uchel, arwyneb cryno, gronynnau mân.

4. ymwrthedd cyrydiad: adweithyddion asid, alcali, halen ac organig.

 

Prif Fanylebau Haenau CVD-SIC:

SiC-CVD

Dwysedd

(g/cc)

3.21

Cryfder hyblyg

(Mpa)

470

Ehangu thermol

(10-6/K)

4

Dargludedd thermol

(W/mK)

300

Delweddau Manwl

Prosesu cotio SiC ar susceptors MOCVD wyneb graffitProsesu cotio SiC ar susceptors MOCVD wyneb graffitProsesu cotio SiC ar susceptors MOCVD wyneb graffitProsesu cotio SiC ar susceptors MOCVD wyneb graffitProsesu cotio SiC ar susceptors MOCVD wyneb graffit

Gwybodaeth Cwmni

111

Offer Ffatri

222

Warws

333

Ardystiadau

Tystysgrifau22

 


  • Pâr o:
  • Nesaf:

  • Sgwrs WhatsApp Ar-lein!