Cum'è un novu tipu di materiale semiconductor, SiC hè diventatu u materiale semiconductor più impurtante per a fabricazione di apparecchi optoelettronici di lunghezza d'onda curta, apparecchi di alta temperatura, apparecchi di resistenza à a radiazione è apparecchi elettronichi d'alta putenza / alta putenza per via di e so eccellenti proprietà fisiche è chimiche. pruprietà elettriche. In particulare quandu applicata in cundizioni estremi è duru, e caratteristiche di i dispositi SiC superanu assai quelli di i dispositi Si è GaAs. Per quessa, i dispusitivi SiC è parechji tipi di sensori sò diventati gradualmente unu di i dispusitivi chjave, ghjucanu un rolu di più è più impurtante.
Dispositivi è circuiti SiC si sò sviluppati rapidamente da l'anni 1980, soprattuttu da u 1989 quandu u primu wafer di sustrato SiC intrutu in u mercatu. In certi campi, cum'è i diodi emettitori di luce, i dispusitivi d'alta freccia è di alta tensione, i dispositi SiC sò stati largamente usati in u cummerciu. U sviluppu hè rapidu. Dopu à quasi 10 anni di sviluppu, u prucessu di u dispusitivu SiC hà sappiutu di fabricà dispusitivi cummirciali. Una quantità di cumpagnie rapprisentate da Cree anu cuminciatu à offre prudutti cummerciale di i dispositi SiC. L'istituti di ricerca domestica è l'università anu ancu fattu risultati gratificante in a crescita di materiale SiC è a tecnulugia di fabricazione di i dispositi. Ancu s'è u materiale SiC hà proprietà fisiche è chimiche assai superiori, è a tecnulugia di u dispositivu SiC hè ancu maturu, ma u funziunamentu di i dispositi è i circuiti SiC ùn hè micca superiore. In più di u materiale SiC è u prucessu di u dispusitivu deve esse constantemente migliuratu. Più sforzi deve esse messi in quantu à apprufittassi di materiali SiC da ottimisazione struttura dispusitivu S5C o prupunendu nova struttura dispusitivu.
Attualmente. A ricerca di i dispositi SiC si focalizeghja principalmente in i dispositi discreti. Per ogni tipu di struttura di u dispusitivu, a ricerca iniziale hè di trasplantà a struttura di u dispositivu Si o GaAs currispondente à SiC senza ottimisà a struttura di u dispusitivu. Siccomu a strata di l'ossidu intrinsicu di SiC hè u listessu cum'è Si, chì hè SiO2, significa chì a maiò parte di i dispositi Si, in particulare i dispositi m-pa, ponu esse fabbricati nantu à SiC. Ancu s'ellu hè solu un trasplante simplice, alcuni di i dispusitivi ottenuti anu ottinutu risultati satisfacenti, è alcuni di i dispositi sò digià intruti in u mercatu di fabbrica.
Dispositivi optoelettronici SiC, in particulare diodi emettitori di luce blu (LED BLU-ray), sò intruti in u mercatu à l'iniziu di l'anni 1990 è sò i primi apparecchi SiC pruduciutu in massa. I diodi SiC Schottky d'alta tensione, i transistori di putenza SiC RF, i MOSFET SiC è i mesFET sò ancu dispunibili in u cummerciu. Di sicuru, u funziunamentu di tutti sti prudutti SiC hè luntanu da ghjucà i super caratteristiche di materiali SiC, è u funziunamentu più forte è u funziunamentu di i dispusitivi SiC ancora bisognu à esse ricerca è sviluppatu. Tali trasplante simplici spessu ùn ponu micca sfruttà cumplettamente i vantaghji di i materiali SiC. Ancu in u spaziu di qualchi vantaghji di i dispusitivi SiC. Certi di i dispusitivi SiC inizialmente fabbricati ùn ponu micca currispondenu à a prestazione di i dispositi Si o CaAs currispondenti.
Per trasfurmà megliu i vantaghji di e caratteristiche di u materiale SiC in i vantaghji di i dispositi SiC, studiemu attualmente cumu ottimisimu u prucessu di fabricazione di u dispusitivu è a struttura di u dispusitivu o sviluppà novi strutture è novi prucessi per migliurà a funzione è u rendiment di i dispositi SiC.
Tempu di Postu: Aug-23-2022