WAFER DI SILICONE
da sitronic
AostiaIl s'agit d'une tranche de silicium d'environ 1 millimètre d'épaisseur qui présente une surface extrêmement plane grâce à des procédures techniquement très exigeantes. L'usu sussegwenti determina quale prucedura di crescita di cristalli deve esse impiegata. In u prucessu di Czochralski, per esempiu, u siliciu policristalinu hè funnutu è un cristallu di sumente di lapis hè dipped in u siliciu fusu. U cristallu di sumente hè poi giratu è lentamente tiratu in sopra. Un colossu assai pisanti, un monocristallu, risultati. Hè pussibule selezziunà e caratteristiche elettriche di u monocrystal aghjunghjendu unità chjuche di dopants d'alta purezza. I cristalli sò dopati in cunfurmità cù e specificazioni di u cliente, è poi lucidati è tagliati in fette. Dopu à parechji tappe di pruduzzione supplementari, u cliente riceve i so wafers specificati in un imballaggio speciale, chì permette à u cliente di utilizàostiaimmediatamente in a so linea di produzzione.
Oghje, una grande parte di i monocristalli di siliciu sò cultivati secondu u prucessu Czochralski, chì implica a fusione di silicium policristalinu d'alta purezza in un crucible di quartz hyperpure è aghjunghjendu u dopantu (in generale B, P, As, Sb). Un cristallu magre, monocristallino, hè immersa in u siliciu fusu. Da stu cristallu sottile si sviluppa un grande cristallo CZ. A regulazione precisa di a temperatura è di u flussu di siliciu fondu, a rotazione di u cristallu è di u crucible, è ancu a velocità di tiratura di cristalli si traduce in un lingotto di siliciu monocristallino di altissima qualità.
Tempu di pubblicazione: 03-03-2021