U revestimentu SiC pò esse preparatu da a deposizione di vapore chimicu (CVD), a trasfurmazioni di precursori, a spruzzatura di plasma, etc. U revestimentu preparatu da a deposizione di vapore CHIMICA hè uniforme è compactu, è hà una bona designabilità. Utilizendu metil trichlosilane. (CHzSiCl3, MTS) cum'è fonte di siliciu, u revestimentu SiC preparatu da u metudu CVD hè un metudu relativamente maturu per l'applicazione di stu revestimentu.
U revestimentu SiC è u grafite anu una bona cumpatibilità chimica, a diffarenza di u coefficient di espansione termica trà elli hè chjuca, cù u revestimentu SiC pò migliurà efficacemente a resistenza à l'usura è a resistenza à l'ossidazione di u materiale di grafite. Frà elli, u rapportu stechiometricu, a temperatura di reazzione, u gas di diluzione, u gasu impuru è altre cundizioni anu una grande influenza nantu à a reazione.
Tempu di pubblicazione: 14-sep-2022