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Chì sò i difetti di a capa epitaxial di carburu di siliciu
da admin u 24-06-05
A tecnulugia di u core per a crescita di materiali epitassiali SiC hè prima a tecnulugia di cuntrollu di difetti, in particulare per a tecnulugia di cuntrollu di difetti chì hè propensa à fallimentu di u dispositivu o degradazione di affidabilità. U studiu di u mecanismu di difetti di sustrato chì si estendenu in l'epi ...
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Oxidized standing grain and epitaxial growth technology-Ⅱ
da admin u 24-05-30
2. Epitaxial thin film growth U sustrato furnisce una strata di supportu fisicu o una capa conductiva per i dispositi di putenza Ga2O3. U prossimu stratu impurtante hè a strata di canali o strata epitaxial utilizata per a resistenza di tensione è u trasportu di trasportu. Per aumentà a tensione di rottura è minimizzà i cun...
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Tecnulugia di crescita di l'ossidu di Gallium unicu cristallu è epitaxial
da admin u 24-05-30
I semiconduttori a banda larga (WBG) rapprisentati da u carburu di siliciu (SiC) è u nitruru di gallium (GaN) anu ricivutu una grande attenzione. A ghjente hà grandi aspettative per e prospettive di applicazione di carburu di siliciu in veiculi elettrici è reti di energia, è ancu per e prospettive di applicazione di galiu ...
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Chì sò l'ostaculi tecnichi à u carburu di siliciu?Ⅱ
da admin u 24-05-22
I difficultà tecnichi in i wafers di carburu di siliciu d'alta qualità chì producenu in massa stabile cù un rendimentu stabile includenu: 1) Dapoi chì i cristalli anu bisognu di cultivà in un ambiente sigillatu à alta temperatura sopra à 2000 ° C, i requisiti di cuntrollu di temperatura sò estremamente altu; 2) Siccomu u carburu di siliciu hà ...
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Chì sò e barriere tecniche per u carburu di siliciu?
da admin u 24-05-22
A prima generazione di materiali semiconduttori hè rapprisintata da u siliciu tradiziunale (Si) è u germaniu (Ge), chì sò a basa per a fabricazione di circuiti integrati. Sò largamente usati in transistors è detectors di bassa tensione, bassa frequenza è bassa putenza. Più di 90% di i prudutti di semiconduttori ...
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Cumu hè fattu a micro polvere di SiC?
da admin u 24-05-13
SiC unicu cristallu hè un materiale semiconductor cumpostu di Gruppu IV-IV cumpostu di dui elementi, Si è C, in un rapportu stechiometricu di 1: 1. A so durezza hè seconda solu à u diamante. U metudu di riduzzione di carbonu di l'ossidu di siliciu per preparà SiC hè principalmente basatu annantu à a seguente formula di reazione chimica ...
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Cumu i strati epitassiali aiutanu i dispositi semiconduttori?
da admin u 24-05-13
L'origine di u nome epitaxial wafer Prima, vulemu popularizà un picculu cuncettu: a preparazione di wafer include dui ligami maiò: preparazione di sustrato è prucessu epitaxial. U sustrato hè un wafer fattu di materiale unicu cristallu semiconductor. U sustrato pò entra direttamente in a fabricazione di wafer ...
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Introduzione à a tecnulugia di deposizione di film sottile (CVD) per a deposizione chimica di vapore
da admin u 24-05-06
Chemical Vapor Deposition (CVD) hè una tecnulugia impurtante di depositu di film sottile, spessu usata per preparà diversi filmi funziunali è materiali di strati sottili, è hè largamente utilizatu in a fabricazione di semiconduttori è altri campi. 1. Principiu di travagliu di CVD In u prucessu di CVD, un precursore di gas (unu o ...
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U sicretu "oru neru" daretu à l'industria di i semiconduttori fotovoltaici: u desideriu è a dependenza di grafite isostaticu
da admin u 24-05-06
U grafite isostaticu hè un materiale assai impurtante in i fotovoltaici è i semiconduttori. Cù l'aumentu rapidu di l'imprese di grafite isostaticu domesticu, u monopoliu di l'imprese straniere in Cina hè statu rottu. Cù ricerca è sviluppu indipindenti continui è innovazioni tecnologiche, u ...
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