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Tipi di grafite speciale
da admin u 24-06-17
U grafitu speciale hè un materiale di grafite d'alta purezza, alta densità è alta resistenza è hà una eccellente resistenza à a corrosione, stabilità à alta temperatura è una grande conduttività elettrica. Hè fattu di grafite naturali o artificiale dopu un trattamentu termale à alta temperatura è un prucessu d'alta pressione ...
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Analisi di l'equipaggiu di deposizione di film sottile - i principii è l'applicazioni di l'equipaggiu PECVD/LPCVD/ALD
da admin u 24-06-12
A deposizione di film sottile hè di rivesti una strata di film nantu à u materiale di sustrato principale di u semiconductor. Stu filmu pò esse fattu di diversi materiali, cum'è diossidu di siliciu compostu insulating, polysilicon semiconductor, cobre di metallu, etc. L'equipaggiu utilizatu per u revestimentu hè chjamatu depositu di film sottile ...
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Materiali impurtanti chì determinanu a qualità di a crescita di silicium monocristalina - campu termale
da admin u 24-06-12
U prucessu di crescita di silicium monocristalinu hè cumpletamente realizatu in u campu termale. Un bonu campu termale hè favurèvule à migliurà a qualità di i cristalli è hà una efficienza di cristallizazione più altu. U disignu di u campu termale determina largamente i cambiamenti in i gradienti di temperatura ...
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Chì sò e difficultà tecniche di u furnace di crescita di cristalli di carburu di siliciu?
da admin u 24-06-07
U furnace di crescita di cristalli hè l'equipaggiu core per a crescita di cristalli di carburu di siliciu. Hè simile à u furnace di crescita di cristalli di qualità di silicium cristalline tradiziunale. A struttura di u furnace ùn hè micca assai complicata. Hè cumpostu principalmente di corpu di furnace, sistema di riscaldamentu, mecanismu di trasmissione di bobina ...
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Chì sò i difetti di a capa epitaxial di carburu di siliciu
da admin u 24-06-05
A tecnulugia di u core per a crescita di materiali epitassiali SiC hè prima a tecnulugia di cuntrollu di difetti, in particulare per a tecnulugia di cuntrollu di difetti chì hè propensa à fallimentu di u dispositivu o degradazione di affidabilità. U studiu di u mecanismu di difetti di sustrato chì si estendenu in l'epi ...
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Oxidized standing grain and epitaxial growth technology-Ⅱ
da admin u 24-05-30
2. Epitaxial thin film growth U sustrato furnisce una strata di supportu fisicu o una capa conductiva per i dispositi di putenza Ga2O3. U prossimu stratu impurtante hè a strata di canali o strata epitaxial utilizata per a resistenza di tensione è u trasportu di trasportu. Per aumentà a tensione di rottura è minimizzà i cun...
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Tecnulugia di crescita di l'ossidu di Gallium unicu cristallu è epitaxial
da admin u 24-05-30
I semiconduttori a banda larga (WBG) rapprisentati da u carburu di siliciu (SiC) è u nitruru di gallium (GaN) anu ricivutu una grande attenzione. A ghjente hà grandi aspettative per e prospettive di applicazione di carburu di siliciu in veiculi elettrici è reti elettriche, è ancu per e prospettive di applicazione di gallium ...
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Chì sò i barrieri tecnichi à u carburu di siliciu?Ⅱ
da admin u 24-05-22
I difficultà tecnichi in a produzzione in massa stabile di wafers di carburu di siliciu d'alta qualità cù un rendimentu stabile includenu: 1) Siccomu i cristalli anu bisognu di cultivà in un ambiente sigillatu à alta temperatura sopra à 2000 ° C, i requisiti di cuntrollu di temperatura sò estremamente altu; 2) Siccomu u carburu di siliciu hà ...
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Chì sò e barriere tecniche per u carburu di siliciu?
da admin u 24-05-22
A prima generazione di materiali semiconduttori hè rapprisintata da u siliciu tradiziunale (Si) è u germaniu (Ge), chì sò a basa per a fabricazione di circuiti integrati. Sò largamente usati in transistors è detectors di bassa tensione, bassa frequenza è bassa putenza. Più di 90% di i prudutti di semiconduttori ...
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