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Electrode à membrane à pile à combustible, personnalisée MEA -1
da admin u 22-09-21
Un assemblea di l'elettrodu di membrana (MEA) hè una pila assemblata di: Membrana di scambiu di protoni (PEM) Catalyst Gas Diffusion Layer (GDL) Specificazioni di l'assemblea di l'elettrodu di membrana: Spessore 50 μm. Taglie 5 cm2, 16 cm2, 25 cm2, 50 cm2 o 100 cm2 superfici attive. Anodu di carica di catalizzatore = 0,5 ...
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L'ultima innovazione di pila di carburante persunalizata MEA per arnesi / barche / bicicletta / scooter
da admin u 22-09-21
Un assemblea di l'elettrodu di membrana (MEA) hè una pila assemblata di: Membrana di scambiu di protoni (PEM) Catalyst Gas Diffusion Layer (GDL) Specificazioni di l'assemblea di l'elettrodu di membrana: Spessore 50 μm. Taglie 5 cm2, 16 cm2, 25 cm2, 50 cm2 o 100 cm2 superfici attive. Anodu di carica di catalizzatore = 0,5 ...
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Introduzione à u scenariu d'applicazione di a tecnulugia di l'energia di l'idrogenu
da admin u 22-09-17

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Prucessu di pruduzzione automatica di reattori
da admin u 22-09-17
Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd. hè una impresa d'alta tecnulugia stabilita in Cina, cuncintrata in Tecnulugia Materiale Avanzata è prudutti di l'automobile. Semu prufessiunali prufessiunali è fornitori cù a nostra propria fabbrica è squadra di vendita.
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Dui pompe di vacuum elettriche sò stati spediti in America
da admin u 22-09-14

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U feltru di grafite hè statu speditu in Vietnam
da admin u 22-09-14

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U revestimentu resistente à l'ossidazione SiC hè statu preparatu nantu à a superficia di grafite da u prucessu CVD
da admin u 22-09-14
U revestimentu SiC pò esse preparatu da a deposizione di vapore chimicu (CVD), a trasfurmazioni di precursori, a spruzzatura di plasma, etc. U revestimentu preparatu da a deposizione di vapore CHIMICA hè uniforme è compactu, è hà una bona designabilità. Utilizendu metil trichlosilane. (CHzSiCl3, MTS) cum'è fonte di siliciu, preparazione di rivestimentu SiC ...
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Struttura di carburu di siliciu
da admin u 22-08-30
Trè tippi principali di polimorfu di carburu di siliciu Ci sò circa 250 forme cristalline di carburu di siliciu. Perchè u carburu di siliciu hà una seria di politipi homogeni cù una struttura di cristalli simili, u carburu di siliciu hà e caratteristiche di policristallini homogeni. carbure de silicium (mosanite)...
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Status di ricerca di u circuit integratu SiC
da admin u 22-08-23
Differenti da i dispositi discreti S1C chì perseguenu caratteristiche di alta tensione, alta putenza, alta frequenza è alta temperatura, u scopu di ricerca di u circuitu integratu SiC hè principalmente di ottene un circuitu digitale d'alta temperatura per u circuitu di cuntrollu di IC di putenza intelligente. Cum'è circuit integratu SiC per ...
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