COME FÀ UN WAFER DI SILICONE

COME FÀ UN WAFER DI SILICONE

A ostiaIl s'agit d'une tranche de silicium d'environ 1 millimètre d'épaisseur qui présente une surface extrêmement plane grâce à des procédures techniquement très exigeantes. L'usu sussegwenti determina quale prucedura di crescita di cristalli deve esse impiegata. In u prucessu di Czochralski, per esempiu, u siliciu policristalinu hè funnutu è un cristallu di sumente di lapis hè dipped in u siliciu fusu. U cristallu di sumente hè poi giratu è lentamente tiratu in sopra. Un colossu assai pisanti, un monocristallu, risultati. Hè pussibule selezziunà e caratteristiche elettriche di u monocrystal aghjunghjendu unità chjuche di dopants d'alta purezza. I cristalli sò dopati in cunfurmità cù e specificazioni di u cliente, è poi lucidati è tagliati in fette. Dopu à parechji passi di pruduzzione addiziunali, u cliente riceve i so wafers specificati in un imballaggio speciale, chì permette à u cliente di utilizà l'ostia immediatamente in a so linea di produzzione.

CZOCHRALSKI PROCESS

Oghje, una grande parte di i monocristalli di siliciu sò cultivati ​​secondu u prucessu Czochralski, chì implica a fusione di silicium policristalinu d'alta purezza in un crucible di quartz hyperpure è aghjunghjendu u dopantu (in generale B, P, As, Sb). Un cristallu di sumente monocristalina fina hè immersa in u siliciu fusu. Da stu cristallu sottile si sviluppa un grande cristallo CZ. A regulazione precisa di a temperatura è di u flussu di siliciu fondu, a rotazione di u cristallu è di u crucible, è ancu a velocità di tiratura di cristalli si traduce in un lingotto di siliciu monocristallino di altissima qualità.

METU DI ZONA FLOTTA

I monocristalli fabbricati secondu u metudu di a zona di float sò ideali per l'usu in cumpunenti di semiconductor di putenza, cum'è IGBT. Un lingotto di silicio policristallino cilindrico hè muntatu nantu à una bobina d'induzione. Un campu elettromagneticu di radiofrequenza aiuta à scioglie u siliciu da a parte inferiore di u bastone. U campu elettromagneticu regula u flussu di siliciu attraversu un picculu pirtusu in a bobina d'induzione è nantu à u monocristallu chì si trova sottu (metudu di zona di float). U doping, di solitu cù B o P, hè ottenutu da l'aghjunzione di sustanzi gasosi.