SiC unicu cristallu hè un materiale semiconductor cumpostu di Gruppu IV-IV cumpostu di dui elementi, Si è C, in un rapportu stechiometricu di 1: 1. A so durezza hè seconda solu à u diamante.
U metudu di riduzzione di carbonu di l'ossidu di siliciu per preparà SiC hè principalmente basatu annantu à a seguente formula di reazione chimica:
U prucessu di reazzione di riduzzione di carbonu di l'ossidu di siliciu hè relativamente cumplessu, in quale a temperatura di reazione afecta direttamente u pruduttu finali.
In u prucessu di preparazione di carburu di silicium, i materii primi sò prima posti in un furnace di resistenza. U furnace di resistenza hè custituitu da pareti finali à i dui estremità, cù un elettrodu di grafite in u centru, è u core di u furnace cunnetta i dui elettrodi. À a periferia di u core di u furnace, a materia prima chì participanu à a reazzione sò prima posti, è dopu i materiali utilizati per a preservazione di u calore sò posti nantu à a periferia. Quandu a smelting principia, u furnace di resistenza hè energizatu è a temperatura s'eleva à 2.600 à 2.700 gradi Celsius. L'energia di u calore elettricu hè trasferitu à a carica à traversu a superficia di u core di u furnace, facendu chì si scalda gradualmente. Quandu a temperatura di a carica supera i 1450 gradi Celsius, una reazione chimica si trova per generà carburu di siliciu è gasu di monossidu di carbonu. Quandu u prucessu di smelting cuntinueghja, l'area di alta temperatura in a carica s'allarga gradualmente, è a quantità di carburu di siliciu generatu cresce ancu. U carburu di siliciu hè furmatu continuamente in u fornu, è attraversu l'evaporazione è u muvimentu, i cristalli crescenu gradualmente è eventualmente si riuniscenu in cristalli cilindrichi.
Una parte di u muru internu di u cristallu principia à scumpressà per via di l'alta temperatura chì supera i 2 600 gradi Celsius. L'elementu di siliciu pruduciutu da a descomposizione ricombinerà cù l'elementu di carbone in a carica per furmà un novu carburu di siliciu.
Quandu a reazzione chimica di u carburu di siliciu (SiC) hè cumpleta è u furnace hè rinfriscatu, u prossimu passu pò principià. Prima, i mura di u furnace sò dismantellati, è dopu a materia prima in u furnace sò selezziunati è classificate strata per capa. E materie prime scelte sò sfracicate per ottene u materiale granulare chì vulemu. In seguitu, l'impurità in a materia prima sò sguassate per lavà l'acqua o pulisce cù suluzioni acidi è alkali, è ancu a separazione magnetica è altri metudi. A materia prima pulita deve esse siccata è poi schermata di novu, è infine pò esse ottenutu pulveru di carburu di silicium puro. In casu di necessariu, sti polveri ponu esse ulteriormente trasfurmati secondu l'usu propiu, cum'è a furmazione o a macinazione fina, per pruduce un polveru di carburu di siliciu più fine.
I passi specifichi sò i seguenti:
(1) Materie prime
A micropolvere di carburu di siliciu verde hè prodotta schiacciando carburu di siliciu verde più grossu. A cumpusizioni chimica di u carburu di siliciu deve esse più grande di 99%, è u carbonu liberu è l'ossidu di ferru deve esse menu di 0,2%.
(2) Ruttu
Per sfracicà a sabbia di carburu di siliciu in polvera fina, sò attualmente usati dui metudi in Cina, unu hè u frantumu intermittenti di u mulinu di bola bagnata, è l'altru hè sfracicatu cù un mulinu di polveri di flussu d'aria.
(3) Separazione magnetica
Ùn importa micca quale metudu hè utilizatu per sfracicà a polvera di carburu di siliciu in polvera fina, a separazione magnetica umida è a separazione magnetica meccanica sò generalmente usate. Questu hè perchè ùn ci hè micca polvera durante a separazione magnetica umida, i materiali magnetichi sò cumpletamente siparati, u pruduttu dopu a separazione magnetica cuntene menu ferru, è a polvera di carburu di siliciu purtata da i materiali magnetichi hè ancu menu menu.
(4) Separazione di l'acqua
U principiu di basa di u metudu di separazione di l'acqua hè di utilizà e diverse velocità di sedimentazione di particelle di carburu di siliciu di diversi diametri in acqua per fà a classificazione di a dimensione di particella.
(5) Screening ultrasonicu
Cù u sviluppu di a tecnulugia ultrasonica, hè stata ancu largamente utilizata in u screening ultrasonicu di a tecnulugia di micro-polvere, chì pò esse solu risolve i prublemi di screening, cum'è l'adsorzione forte, l'agglomerazione faciule, l'elettricità statica alta, alta finezza, alta densità è gravità specifica di luce. .
(6) Ispezione di qualità
L'ispezione di qualità di micropowder include a cumpusizioni chimica, a cumpusizioni di dimensione di particella è altri elementi. Per i metudi di ispezione è i standard di qualità, fate riferimentu à "Condizioni tecniche di carburu di silicone".
(7) Pruduzzione di polvera di macinazione
Dopu chì u micro powder hè raggruppatu è screened, a testa di materiale pò esse usata per preparà a polvera di macinazione. A produzzione di polvere di macinazione pò riduce i rifiuti è allargà a catena di produttu.
Tempu di Post: 13-May-2024