Sputtering targetssò principarmenti usati in l'industria di l'elettronica è di l'infurmazione, cum'è circuiti integrati, almacenamentu di l'infurmazioni, display di cristalli liquidi, memorie laser, apparecchi di cuntrollu elettronicu, etc. Puderanu ancu esse usatu in u campu di revestimentu di vetru, è ancu in resistenti à l'usura. materiali, resistenza à a corrosione à alta temperatura, prudutti decorativi high-end è altre industrie.
A sputtering hè una di e tecniche principali per a preparazione di materiale di film sottile.Utilizà ioni generati da fonti di ioni per accelerà è aggregate in un vacuum per furmà fasci di ioni d'energia d'alta velocità, bombardeanu a superficia solida è scambià energia cinetica trà ioni è atomi di superficia solida. L'atomi nantu à a superficia solida lascianu u solidu è sò dipositati nantu à a superficia di u sustrato. U solidu bombardatu hè a materia prima per dipositu filmi sottili per sputtering, chì hè chjamatu sputtering target. Diversi tipi di materiali di film sottili sputtered sò stati largamente utilizati in circuiti integrati di semiconductor, supporti di registrazione, display flat-panel è rivestimenti di superficia di pezzi.
Frà tutte e industrie di l'applicazioni, l'industria di i semiconduttori hà i requisiti di qualità più stretti per i filmi di sputtering di destinazione. Obiettivi di sputtering di metalli di alta purezza sò principarmenti usati in a fabricazione di wafer è i prucessi di imballaggio avanzati. Pigliendu a fabricazione di chip cum'è un esempiu, pudemu vede chì da una wafer di siliciu à un chip, hà bisognu di passà per 7 prucessi di produzzione maiò, vale à dì diffusione (Processu termale), Photo-lithography (Photo-lithography), Etch (Etch), Ion Implantation (IonImplant), Thin Film Growth (Dielectric Deposition), Chemical Mechanical Polishing (CMP), Metalization (Metalization) I prucessi currispondenu unu à unu. U scopu di sputtering hè utilizatu in u prucessu di "metallizazione". U mira hè bombardatu cù particeddi high-energy da l 'attrezzatura di depositu film magre e poi na strata di metallu cù funzioni specifichi hè furmatu nant'à u wafer di siliciu, cum'è strata conduttiva, strata barriera. Wait.Since i prucessi di i semi-conduttori sanu sò variati allora qualchì situazione occasionale hè necessariu per verificà chì u sistema hè esistitu currettamente, per quessa, dumandemu certi tipi di materiali manichi in certi fasi di produzzione per cunfirmà l'effetti.
Tempu di post: 17-Jan-2022