Quality Inspection alang sa China Industrial Polycrystalline Diamond Powder 3-6um alang sa Sapphire Wafer

Mubo nga Deskripsyon:


  • Dapit sa Sinugdanan:China
  • Kristal nga Istruktura:FCCβ nga hugna
  • Densidad:3.21 g/cm;
  • Katig-a:2500 ka Vickers;
  • Gidak-on sa lugas:2~10μm;
  • Pagkaputli sa Kemikal:99.99995%;
  • Kapasidad sa kainit:640J·kg-1·K-1;
  • Temperatura sa sublimation:2700 ℃;
  • Kalig-on sa Felexural:415 Mpa (RT 4-Point);
  • Modulus sa Batan-on:430 Gpa (4pt bend, 1300 ℃);
  • Thermal Expansion (CTE):4.5 10-6K-1;
  • Thermal Conductivity:300(W/MK);
  • Detalye sa Produkto

    Mga Tag sa Produkto

    Ang "Sincerity, Innovation, Rigorousness, ug Efficiency" mao ang makanunayon nga pagpanamkon sa among kompanya alang sa dugay nga panahon aron mapalambo kauban ang mga kustomer alang sa usag usa nga pagbalik ug kaayohan sa usag usa alang sa Quality Inspection alang sa China Industrial PolycrystallineDiamante nga Pulbos3-6um alang sa Sapphire Wafer, Kami masaligon nga kami makatanyag sa taas nga kalidad nga mga produkto ug mga solusyon sa resonable nga tag sa presyo, labaw nga human-sales nga suporta ngadto sa mga mamalitay. Ug magtukod kami usa ka buhi nga kadugayon.
    Ang "pagkasinsero, kabag-ohan, kalig-on, ug pagka-epektibo" mao ang padayon nga pagpanamkon sa among kompanya alang sa dugay nga panahon aron mapalambo kauban ang mga kostumer alang sa usag usa nga pagbinayloay ug kaayohan sa usag usa.China Synthetic Diamond, Diamante nga Pulbos, Kanunay namong gi-insistir ang prinsipyo sa pagdumala sa "Ang kalidad mao ang Una, ang Teknolohiya mao ang Basis, Pagkamatinud-anon ug Kabag-ohan".Kami makahimo sa pagpalambo sa bag-ong mga produkto nga padayon ngadto sa mas taas nga lebel aron sa pagtagbaw sa lain-laing mga panginahanglan sa mga kustomer.
    Deskripsyon sa Produkto

    Naghatag ang among kompanya og mga serbisyo sa proseso sa coating sa SiC pinaagi sa pamaagi sa CVD sa nawong sa graphite, seramiko ug uban pang mga materyales, aron ang mga espesyal nga gas nga adunay sulud nga carbon ug silicon molihok sa taas nga temperatura aron makuha ang taas nga kaputli nga mga molekula sa SiC, mga molekula nga gideposito sa nawong sa mga materyal nga adunay sapaw, pagporma sa SIC protective layer.

    Panguna nga mga bahin:

    1. Taas nga temperatura nga pagsukol sa oksihenasyon:

    ang resistensya sa oksihenasyon maayo pa kaayo kung ang temperatura ingon ka taas sa 1600 C.

    2. Taas nga kaputli : gihimo pinaagi sa kemikal nga alisngaw deposition ubos sa taas nga temperatura chlorination kahimtang.

    3. Pagbatok sa erosion: taas nga katig-a, compact nga nawong, maayong mga partikulo.

    4. Pagbatok sa kaagnasan: acid, alkali, asin ug mga organikong reagents.

    Panguna nga Detalye sa CVD-SIC Coating

    SiC-CVD Properties

    Kristal nga Istruktura FCC β nga hugna
    Densidad g/cm ³ 3.21
    Katig-a Vickers katig-a 2500
    Gidak-on sa lugas μm 2~10
    Pagkaputli sa Kemikal % 99.99995
    Kapasidad sa Kainit J·kg-1 ·K-1 640
    Temperatura sa Sublimation 2700
    Felexural nga Kusog MPa (RT 4-point) 415
    Modulus sa Batan-on Gpa (4pt bend, 1300 ℃) 430
    Thermal Expansion (CTE) 10-6K-1 4.5
    Thermal conductivity (W/mK) 300

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • Kaniadto:
  • Sunod:

  • WhatsApp Online nga Chat!