Ingon usa ka bag-ong tipo sa materyal nga semiconductor, ang SiC nahimo nga labing hinungdanon nga materyal nga semiconductor alang sa paghimo sa mga mugbo nga wavelength nga optoelectronic nga mga aparato, taas nga temperatura nga mga aparato, mga aparato nga pagsukol sa radiation ug taas nga gahum / taas nga gahum sa elektronik nga mga aparato tungod sa maayo kaayo nga pisikal ug kemikal nga mga kabtangan ug elektrikal nga mga kabtangan. Ilabi na kung gipadapat sa ilawom sa grabe ug mapintas nga mga kahimtang, ang mga kinaiya sa mga aparato nga SiC labi pa sa mga aparato sa Si ug mga aparato sa GaA. Busa, ang mga aparato sa SiC ug lainlaing mga lahi sa mga sensor hinayhinay nga nahimo nga usa sa mga yawe nga aparato, nga adunay labi ka hinungdanon nga papel.
Ang mga aparato ug mga sirkito sa SiC paspas nga naugmad sukad sa 1980s, labi na sukad sa 1989 sa dihang ang unang SiC substrate wafer misulod sa merkado. Sa pipila ka mga natad, sama sa mga light-emitting diodes, high-frequency high-power ug high-voltage nga mga aparato, ang mga aparato sa SiC kaylap nga gigamit sa komersyo. Paspas ang kalamboan. Pagkahuman sa hapit 10 ka tuig nga pag-uswag, ang proseso sa aparato sa SiC nakahimo sa paghimo sa mga komersyal nga aparato. Daghang mga kompanya nga girepresentahan ni Cree nagsugod sa pagtanyag sa mga komersyal nga produkto sa mga aparato nga SiC. Ang mga domestic research institute ug mga unibersidad nakahimo usab og makapatagbaw nga mga kalampusan sa SiC nga pagtubo sa materyal ug teknolohiya sa paghimo sa device. Bisan kung ang materyal nga SiC adunay labi ka maayo nga pisikal ug kemikal nga mga kabtangan, ug ang teknolohiya sa aparato sa SiC hamtong usab, apan ang paghimo sa mga aparato ug sirkito sa SiC dili labaw. Dugang pa sa SiC nga materyal ug proseso sa aparato kinahanglan nga kanunay nga pauswagon. Ang dugang nga mga paningkamot kinahanglan ibutang kung giunsa ang pagpahimulos sa mga materyales sa SiC pinaagi sa pag-optimize sa istruktura sa aparato sa S5C o pagsugyot og bag-ong istruktura sa aparato.
Sa pagkakaron. Ang panukiduki sa mga aparato nga SiC nag-una nga naka-focus sa mga discrete nga aparato. Alang sa matag klase sa istruktura sa aparato, ang inisyal nga panukiduki mao ang pag-transplant sa katugbang nga istruktura sa aparato nga Si o GaAs sa SiC nga wala’y pag-optimize sa istruktura sa aparato. Tungod kay ang intrinsic oxide layer sa SiC parehas sa Si, nga mao ang SiO2, kini nagpasabut nga kadaghanan sa mga aparato sa Si, labi na ang mga aparato nga m-pa, mahimo nga gihimo sa SiC. Bisan kung kini usa ka yano nga pagbalhin, pipila sa mga aparato nga nakuha nakab-ot ang makatagbaw nga mga sangputanan, ug ang pipila sa mga aparato nakasulod na sa merkado sa pabrika.
Ang SiC optoelectronic nga mga aparato, labi na ang mga asul nga light emitting diodes (BLU-ray led), nakasulod sa merkado sa sayong bahin sa 1990s ug mao ang una nga mga aparato nga gihimo sa masa nga SiC. Ang taas nga boltahe nga SiC Schottky diodes, SiC RF power transistors, SiC MOSFET ug mesFET anaa usab sa komersyo. Siyempre, ang pasundayag sa tanan niini nga mga produkto sa SiC layo sa pagdula sa mga super nga mga kinaiya sa mga materyales sa SiC, ug ang mas lig-on nga function ug performance sa mga aparato sa SiC kinahanglan pa nga tun-an ug pauswagon. Ang ingon nga yano nga mga transplant kasagaran dili hingpit nga mapahimuslan ang mga bentaha sa mga materyales sa SiC. Bisan sa lugar sa pipila ka mga bentaha sa mga aparato sa SiC. Ang pila sa mga aparato nga SiC nga una nga gihimo dili makatugma sa pasundayag sa katugbang nga mga aparato nga Si o CaAs.
Aron mas maayo nga mabag-o ang mga bentaha sa mga kinaiya sa materyal nga SiC ngadto sa mga bentaha sa mga aparato sa SiC, gitun-an namon karon kung giunsa ang pag-optimize sa proseso sa paghimo sa aparato ug istruktura sa aparato o paghimo og bag-ong mga istruktura ug bag-ong proseso aron mapaayo ang function ug pasundayag sa mga aparato sa SiC.
Oras sa pag-post: Ago-23-2022