UNSAON PAGHIMO UG SILICON WAFER

UNSAON PAGHIMO UG SILICON WAFER

A ostiyausa ka hiwa sa silicon nga halos 1 milimetro ang gibag-on nga adunay hilabihan ka patag nga nawong salamat sa mga pamaagi nga sa teknikal nga gikinahanglan kaayo. Ang sunod nga paggamit nagtino kung unsang pamaagi sa pagtubo sa kristal ang kinahanglan gamiton. Sa proseso sa Czochralski, pananglitan, ang polycrystalline silicon natunaw ug ang usa ka lapis nga manipis nga kristal nga binhi gituslob sa tinunaw nga silicon. Ang liso nga kristal dayon gituyok ug hinayhinay nga gibira pataas. Usa ka bug-at kaayo nga colossus, usa ka monocrystal, ang mga resulta. Posible nga mapili ang mga de-koryenteng kinaiya sa monocrystal pinaagi sa pagdugang sa gagmay nga mga yunit sa mga high-purity dopants. Ang mga kristal gi-doped subay sa mga detalye sa kostumer ug dayon gipasinaw ug giputol sa mga hiwa. Human sa lain-laing mga dugang nga mga lakang sa produksyon, ang kustomer makadawat sa iyang espesipikong mga wafer sa espesyal nga packaging, nga nagtugot sa kustomer sa paggamit sa wafer diha-diha dayon sa iyang produksyon linya.

PROSESO CZOCHRALSKI

Karon, usa ka dako nga bahin sa mga silicon monocrystals gipatubo sumala sa proseso sa Czochralski, nga naglakip sa pagtunaw sa polycrystalline high-purity silicon sa usa ka hyperpure quartz crucible ug pagdugang sa dopant (kasagaran B, P, As, Sb). Usa ka nipis, monocrystalline nga liso nga kristal gituslob sa tinunaw nga silicon. Usa ka dako nga kristal nga CZ unya naugmad gikan niining nipis nga kristal. Ang tukma nga regulasyon sa tunaw nga silicon nga temperatura ug pag-agos, ang kristal ug crucible rotation, ingon man ang kristal nga pagbira sa tulin nga resulta sa usa ka hilabihan ka taas nga kalidad nga monocrystalline silicon ingot.

PAMAAGI SA FLOAT ZONE

Ang mga monocrystal nga gihimo sumala sa pamaagi sa float zone maayo nga gamiton sa mga sangkap sa power semiconductor, sama sa mga IGBT. Ang usa ka cylindrical polycrystalline silicon ingot gitaod sa usa ka induction coil. Ang radio frequency electromagnetic field makatabang sa pagtunaw sa silicon gikan sa ubos nga bahin sa sungkod. Ang electromagnetic field nag-regulate sa silicon flow pinaagi sa gamay nga lungag sa induction coil ug ngadto sa monocrystal nga anaa sa ubos (float zone method). Ang doping, kasagaran sa B o P, makab-ot pinaagi sa pagdugang sa gas nga mga substansiya.