CVD Silicon Carbide Coated Graphite Ring

Mubo nga Deskripsyon:

Ang VET Energy silicon carbide coated graphite ring kay usa ka high-performance nga produkto nga gidisenyo para maghatag ug makanunayon ug kasaligan nga performance sa taas nga panahon. Kini adunay maayo kaayo nga pagbatok sa kainit ug pagkakapareho sa thermal, taas nga kaputli, pagsukol sa erosion, nga naghimo niini nga hingpit nga solusyon alang sa mga aplikasyon sa pagproseso sa wafer.

Ipadala ang email kanamo I-download isip PDF

Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Kasagaran nga mga Kinaiya sa Base Graphite Material:

Dayag nga Densidad:	1.85 g/cm3
Electrical nga resistensya:	11 μΩm
Flexural Strenth:	49 MPa (500kgf/cm2)
Katig-a sa baybayon:	58
abo:	<5ppm
Thermal Conductivity:	116 W/mK (100 kcal/mhr- ℃)

Naghatag kami og lain-laing mga susceptors ug graphite nga mga sangkap alang sa tanan nga kasamtangan nga epitaxy reactors. Ang among mga produkto naglakip sa mga susceptor sa baril alang sa mga yunit sa LPE, mga susceptor sa pancake para sa mga yunit sa LPE, CSD, ug Gemini, ug mga susceptor sa single-wafer alang sa mga yunit nga gigamit ug ASM.

Pinaagi sa paghiusa sa lig-on nga pakigtambayayong sa mga nanguna nga OEM, kahanas sa materyales ug kahibalo sa paghimo, ang vet nagtanyag sa labing maayo nga disenyo alang sa imong aplikasyon.

Ang VET Energy kay angtinuod nga tiggama sa customized graphite ug silicon carbide nga mga produkto nga adunay CVD coating,maka-supplylainlaincustomized nga mga bahin alang sa semiconductor ug photovoltaic industriya. Our technical team gikan sa top domestic research institusyon, makahatag og mas propesyonal nga materyal nga mga solusyonpara nimo.

Fmga kinaiya sa among mga produkto:

1. Taas nga temperatura nga pagsukol sa oksihenasyon hangtod sa 1700℃.
2. Taas nga kaputli ugpagkaparehas sa thermal
3. Maayo kaayo nga pagsukol sa kaagnasan: acid, alkali, asin ug mga organikong reagents.
4. Taas nga katig-a, compact nga nawong, maayong mga partikulo.
5. Mas taas nga serbisyo sa kinabuhi ug mas lig-on

CVD SiC薄膜基本物理性能 Panguna nga pisikal nga mga kabtangan sa CVD SiCsapaw
性质 / Property	典型数值 / Kinaandan nga Bili
晶体结构 / Kristal nga Istruktura	FCC β nga hugna多晶，主要为（111）取向
密度 / Densidad	3.21 g/cm³
硬度 / Katig-a	2500 维氏硬度（500g load）
晶粒大小 / Laki sa lugas	2~10μm
纯度 / Pagkaputli sa Kemikal	99.99995%
热容 / Kapasidad sa Kainit	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Sublimation Temperatura	2700 ℃
抗弯强度 / Flexural nga Kusog	415 MPa RT 4-puntos
杨氏模量 / Modulus sa Batan-on	430 Gpa 4pt bend, 1300 ℃
导热系数 / ThermalConductivity	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Thermal Expansion(CTE)	4.5×10^-6K^-1