Hòstia DE SILICI

Hòstia DE SILICI

de sitronic

Ahòstiaés una llesca de silici d'aproximadament 1 mil·límetre de gruix que té una superfície extremadament plana gràcies a procediments tècnicament molt exigents. L'ús posterior determina quin procediment de creixement del cristall s'ha d'utilitzar. En el procés de Czochralski, per exemple, el silici policristalí es fon i un cristall de llavors prim com un llapis es submergeix al silici fos. A continuació, el cristall de llavors es gira i s'estira lentament cap amunt. En resulta un colós molt pesat, un monocristall. És possible seleccionar les característiques elèctriques del monocristal afegint petites unitats de dopants d'alta puresa. Els cristalls es dopen d'acord amb les especificacions del client i després es polien i es tallen a rodanxes. Després de diversos passos de producció addicionals, el client rep les seves hòsties especificades en un embalatge especial, que permet al client utilitzar elhòstiaimmediatament a la seva línia de producció.

Avui dia, una gran part dels monocristalls de silici es cultiven segons el procés Czochralski, que consisteix a fondre silici policristalí d'alta puresa en un gresol de quars hiperpur i afegir el dopant (normalment B, P, As, Sb). Un cristall prim i monocristal·lí es submergeix en el silici fos. A partir d'aquest cristall prim es desenvolupa un gran cristall CZ. La regulació precisa de la temperatura i el flux de silici fos, la rotació del cristall i el gresol, així com la velocitat d'extracció del cristall, donen lloc a un lingot de silici monocristal·lí d'extremada qualitat.