Notícies

Pedestals d'ús habitual per a l'epitaxia en fase de vapor
per administrador el 24-07-30
Durant el procés d'epitaxia en fase de vapor (VPE), el paper del pedestal és suportar el substrat i assegurar un escalfament uniforme durant el procés de creixement. Els diferents tipus de pedestals són adequats per a diferents condicions de creixement i sistemes de materials. Els següents són alguns...
Llegeix més
Com allargar la vida útil dels productes recoberts de carbur de tàntal?
per administrador el 24-07-26
Els productes recoberts de carbur de tàntal són un material d'alta temperatura d'ús habitual, caracteritzat per resistència a altes temperatures, resistència a la corrosió, resistència al desgast, etc. Per tant, s'utilitzen àmpliament en indústries com l'aeroespacial, química i energètica. Per ex...
Llegeix més
Quina diferència hi ha entre PECVD i LPCVD en equips CVD de semiconductors?
per administrador el 24-07-24
La deposició química de vapor (CVD) es refereix al procés de dipositar una pel·lícula sòlida a la superfície d'una hòstia de silici mitjançant una reacció química d'una mescla de gasos. Segons les diferents condicions de reacció (pressió, precursor), es pot dividir en diversos equips...
Llegeix més
Característiques del motlle de grafit de carbur de silici
per administrador el 24-07-18
Motlle de grafit de carbur de silici El motlle de grafit de carbur de silici és un motlle compost amb carbur de silici (SiC) com a base i grafit com a material de reforç. Aquest motlle té una excel·lent conductivitat tèrmica, resistència a altes temperatures, resistència a la corrosió i ...
Llegeix més
Procés de semiconductor procés complet de fotolitografia
per administrador el 24-07-16
La fabricació de cada producte semiconductor requereix centenars de processos. Dividim tot el procés de fabricació en vuit passos: processament d'hòsties-oxidació-fotolitografia-gravat-deposició de pel·lícula fina-creixement epitaxial-difusió-implantació d'ions. Per ajudar-te...
Llegeix més
4 mil milions! SK Hynix anuncia una inversió en embalatge avançat en semiconductors al parc de recerca de Purdue
per administrador el 24-07-09
West Lafayette, Indiana - SK hynix Inc. va anunciar plans per invertir prop de 4.000 milions de dòlars per construir una instal·lació avançada de fabricació d'envasos i R+D per a productes d'intel·ligència artificial al Purdue Research Park. Establint un enllaç clau a la cadena de subministrament de semiconductors dels EUA a West Lafayett...
Llegeix més
La tecnologia làser lidera la transformació de la tecnologia de processament de substrats de carbur de silici
per administrador el 24-07-08
1. Visió general de la tecnologia de processament de substrats de carbur de silici Els passos actuals de processament de substrats de carbur de silici inclouen: rectificar el cercle exterior, tallar, xafar, rectificar, polir, netejar, etc. El tall és un pas important en la pr...
Llegeix més
Materials de camp tèrmic principals: materials compostos C/C
per administrador el 24-07-01
Els compostos carboni-carboni són un tipus de compostos de fibra de carboni, amb fibra de carboni com a material de reforç i carboni dipositat com a material de matriu. La matriu dels compostos C/C és carboni. Com que està compost gairebé íntegrament de carboni elemental, té una excel·lent resistència a altes temperatures...
Llegeix més
Tres tècniques principals per al creixement de cristalls de SiC
per administrador el 24-07-01
Com es mostra a la figura 3, hi ha tres tècniques dominants que tenen com a objectiu proporcionar un cristall únic de SiC amb alta qualitat i eficiència: epitaxia en fase líquida (LPE), transport físic de vapor (PVT) i deposició de vapor químic a alta temperatura (HTCVD). PVT és un procés ben establert per produir SiC sin...
Llegeix més