Amb la producció en massa gradual de substrats conductors de SiC, es plantegen requisits més alts per a l'estabilitat i la repetibilitat del procés. En particular, el control de defectes, el petit ajust o la deriva del camp de calor al forn, provocaran canvis de cristall o l'augment dels defectes. En el període posterior, hem d'afrontar el repte de "créixer ràpid, llarg i gruixut, i créixer", a més de la millora de la teoria i l'enginyeria, també necessitem materials de camp tèrmic més avançats com a suport. Utilitza materials avançats, cultiva cristalls avançats.
L'ús inadequat de materials de gresol, com ara grafit, grafit porós, pols de carbur de tàntal, etc. en el camp calent provocarà defectes com ara una major inclusió de carboni. A més, en algunes aplicacions, la permeabilitat del grafit porós no és suficient i es necessiten forats addicionals per augmentar la permeabilitat. El grafit porós amb alta permeabilitat s'enfronta als reptes de processament, eliminació de pols, gravat, etc.
VET introdueix una nova generació de material de camp tèrmic de creixement de cristalls de SiC, carbur de tàntal porós. Un debut mundial.
La força i la duresa del carbur de tàntal són molt altes, i fer-lo porós és un repte. Fer carbur de tàntal porós amb gran porositat i gran puresa és un gran repte. Hengpu Technology ha llançat un innovador carbur de tàntal porós amb gran porositat, amb una porositat màxima del 75%, líder mundial.
Es pot utilitzar la filtració de components en fase de gas, l'ajust del gradient de temperatura local, la direcció del flux de material, el control de fuites, etc. Es pot utilitzar amb un altre recobriment de carbur de tàntal sòlid (compacte) o de carbur de tàntal de Hengpu Technology per formar components locals amb diferent conductància de flux.
Alguns components es poden reutilitzar.
Hora de publicació: 14-jul-2023