Poluprovodnički materijal od silicijum karbida

Silicijum karbid (SiC)poluprovodnički materijal je najzreliji među razvijenim poluprovodnicima sa širokim pojasom. SiC poluvodički materijali imaju veliki potencijal primjene u uređajima visoke temperature, visoke frekvencije, velike snage, fotoelektronici i radijacijskoj otpornosti zbog njihovog širokog pojasa, velikog električnog polja, visoke toplinske provodljivosti, visoke mobilnosti elektrona zasićenja i manje veličine. Silicijum karbid ima širok spektar primena: zbog svog širokog pojasa, može se koristiti za pravljenje plavih svetlećih dioda ili ultraljubičastih detektora na koje sunčeva svetlost jedva da utiče; Budući da se napon ili električno polje može tolerisati osam puta od silicijum ili galij arsenida, posebno pogodno za proizvodnju visokonaponskih uređaja velike snage kao što su visokonaponske diode, energetska trioda, silicijumski kontrolisani i mikrotalasni uređaji velike snage; Zbog velike brzine migracije elektrona zasićenja, može se napraviti u niz visokofrekventnih uređaja (RF i mikrovalne);Silicijum karbidje dobar provodnik topline i provodi toplinu bolje od bilo kojeg drugog poluvodičkog materijala, zbog čega uređaji od silicijum karbida rade na visokim temperaturama.

Kao konkretan primjer, APEI se trenutno priprema za razvoj svog sistema jednosmjernih motora u ekstremnom okruženju za NASA-in Venus Explorer (VISE) koristeći komponente od silicijum karbida. Još u fazi projektovanja, cilj je spustiti istraživačke robote na površinu Venere.

Osim toga, silikon karbidima jaku ionsku kovalentnu vezu, ima visoku tvrdoću, toplotnu provodljivost u odnosu na bakar, dobre performanse odvođenja toplote, otpornost na koroziju je veoma jaka, otpornost na zračenje, otpornost na visoke temperature i dobru hemijsku stabilnost i druga svojstva, ima širok spektar primena u oblast vazduhoplovne tehnologije. Na primjer, upotreba materijala od silicijum karbida za pripremu svemirskih letjelica za život i rad astronauta, istraživača.