SiC আবরণ গ্রাফাইট MOCVD ওয়েফার ক্যারিয়ার, SiC এপিটাক্সির জন্য গ্রাফাইট সাসেপ্টর,
-SiCGraphiteWafer, কার্বন সরবরাহ susceptors, epitaxy susceptors, গ্রাফাইট সাসেপ্টর সরবরাহ করে, গ্রাফাইট ওয়েফার সাসেপ্টর, https://www.vet-china.com/sic-coating-graphite-mocvd-wafer-carriers-2.html#:~:text=SicGraphiteSusceptors-, SicGraphiteTrays,

CVD-SiC আবরণে স্থিতিশীল ভৌত ও রাসায়নিক বৈশিষ্ট্য সহ অভিন্ন কাঠামো, কমপ্যাক্ট উপাদান, উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধ, অক্সিডেশন প্রতিরোধ, উচ্চ বিশুদ্ধতা, অ্যাসিড ও ক্ষার প্রতিরোধের এবং জৈব বিকারক বৈশিষ্ট্য রয়েছে।

উচ্চ-বিশুদ্ধতা গ্রাফাইট উপকরণের সাথে তুলনা করে, গ্রাফাইট 400C এ জারিত হতে শুরু করে, যা অক্সিডেশনের কারণে পাউডারের ক্ষতির কারণ হবে, যার ফলে পেরিফেরাল ডিভাইস এবং ভ্যাকুয়াম চেম্বারে পরিবেশ দূষণ হবে এবং উচ্চ-বিশুদ্ধ পরিবেশের অমেধ্য বৃদ্ধি পাবে।

যাইহোক, SiC আবরণ 1600 ডিগ্রিতে শারীরিক এবং রাসায়নিক স্থিতিশীলতা বজায় রাখতে পারে, এটি আধুনিক শিল্পে, বিশেষ করে সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।

আমাদের কোম্পানি গ্রাফাইট, সিরামিক এবং অন্যান্য উপকরণের পৃষ্ঠে CVD পদ্ধতিতে SiC আবরণ প্রক্রিয়া পরিষেবা প্রদান করে, যাতে কার্বন এবং সিলিকন ধারণকারী বিশেষ গ্যাস উচ্চ তাপমাত্রায় বিক্রিয়া করে উচ্চ বিশুদ্ধতা SiC অণু, প্রলিপ্ত পদার্থের পৃষ্ঠে জমা হওয়া অণুগুলি, SIC প্রতিরক্ষামূলক স্তর গঠন. গঠিত SIC দৃঢ়ভাবে গ্রাফাইট বেসের সাথে আবদ্ধ থাকে, গ্রাফাইট বেসকে বিশেষ বৈশিষ্ট্য দেয়, এইভাবে গ্রাফাইটের পৃষ্ঠকে কমপ্যাক্ট, পোরোসিটি-মুক্ত, উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধ, জারা প্রতিরোধ এবং জারণ প্রতিরোধের করে তোলে।

প্রধান বৈশিষ্ট্য:

1. উচ্চ তাপমাত্রা অক্সিডেশন প্রতিরোধের:

তাপমাত্রা 1700 সেন্টিগ্রেডের মতো উচ্চ হলে জারণ প্রতিরোধ ক্ষমতা এখনও খুব ভাল।

2. উচ্চ বিশুদ্ধতা: উচ্চ তাপমাত্রা ক্লোরিনেশন অবস্থার অধীনে রাসায়নিক বাষ্প জমা দ্বারা তৈরি.

3. ক্ষয় প্রতিরোধের: উচ্চ কঠোরতা, কম্প্যাক্ট পৃষ্ঠ, সূক্ষ্ম কণা.

4. জারা প্রতিরোধের: অ্যাসিড, ক্ষার, লবণ এবং জৈব বিকারক।

CVD-SIC আবরণের প্রধান স্পেসিফিকেশন:

সরবরাহ ক্ষমতা:

প্রতি মাসে 10000 পিস/পিস
প্যাকেজিং এবং ডেলিভারি:
প্যাকিং: স্ট্যান্ডার্ড এবং শক্তিশালী প্যাকিং
পলি ব্যাগ + বক্স + শক্ত কাগজ + প্যালেট
বন্দর:
নিংবো/শেনজেন/সাংহাই
সীসা সময়: