পিএসএস ইচ ক্যারিয়ার

PSS Etch ক্যারিয়ারের বৈশিষ্ট্যযুক্ত চিত্র

সংক্ষিপ্ত বর্ণনা:

উৎপত্তি স্থান:চীন

স্ফটিক গঠন:FCCβ ফেজ

ঘনত্ব:3.21 গ্রাম/সেমি;

কঠোরতা:2500 ভিকার;

শস্য আকার:2~10μm;

রাসায়নিক বিশুদ্ধতা:99.99995%;

তাপ ক্ষমতা:640J·kg-1·K-1;

পরমানন্দ তাপমাত্রা:2700℃;

ফিলেক্সারাল শক্তি:415 MPa (RT 4-পয়েন্ট);

তরুণের মডুলাস:430 Gpa (4pt বাঁক, 1300℃);

তাপীয় সম্প্রসারণ (CTE):4.5 10-6K-1;

তাপ পরিবাহিতা:300 (W/MK);

আমাদের ইমেইল পাঠান PDF হিসেবে ডাউনলোড করুন

পণ্য বিস্তারিত

পণ্য ট্যাগ

পণ্য বিবরণ

আমাদের কোম্পানি গ্রাফাইট, সিরামিক এবং অন্যান্য উপকরণের পৃষ্ঠে CVD পদ্ধতিতে SiC আবরণ প্রক্রিয়া পরিষেবা প্রদান করে, যাতে কার্বন এবং সিলিকন ধারণকারী বিশেষ গ্যাস উচ্চ তাপমাত্রায় বিক্রিয়া করে উচ্চ বিশুদ্ধতা SiC অণু, প্রলিপ্ত পদার্থের পৃষ্ঠে জমা হওয়া অণুগুলি, SIC প্রতিরক্ষামূলক স্তর গঠন.

প্রধান বৈশিষ্ট্য:

1. উচ্চ তাপমাত্রা অক্সিডেশন প্রতিরোধের:

যখন তাপমাত্রা 1600 সেন্টিগ্রেডের মতো উচ্চ হয় তখন জারণ প্রতিরোধ ক্ষমতা এখনও খুব ভাল।

2. উচ্চ বিশুদ্ধতা: উচ্চ তাপমাত্রা ক্লোরিনেশন অবস্থার অধীনে রাসায়নিক বাষ্প জমা দ্বারা তৈরি.

3. ক্ষয় প্রতিরোধের: উচ্চ কঠোরতা, কম্প্যাক্ট পৃষ্ঠ, সূক্ষ্ম কণা.

4. জারা প্রতিরোধের: অ্যাসিড, ক্ষার, লবণ এবং জৈব বিকারক।

CVD-SIC আবরণ প্রধান স্পেসিফিকেশন

SiC-CVD বৈশিষ্ট্য
ক্রিস্টাল স্ট্রাকচার	FCC β ফেজ
ঘনত্ব	g/cm ³	3.21
কঠোরতা	ভিকারস কঠোরতা	2500
শস্য আকার	μm	2~10
রাসায়নিক বিশুদ্ধতা	%	99.99995
তাপ ক্ষমতা	J·kg-1 ·K-1	640
পরমানন্দ তাপমাত্রা	℃	2700
ফেলেক্সুরাল স্ট্রেন্থ	MPa (RT 4-পয়েন্ট)	415
ইয়ং এর মডুলাস	Gpa (4pt বাঁক, 1300℃)	430
তাপীয় সম্প্রসারণ (CTE)	10-6K-1	4.5
তাপ পরিবাহিতা	(W/mK)	300