সিলিকন ওয়েফার

সিলিকন ওয়েফার

সাইট্রনিক থেকে

Aওয়েফারপ্রায় 1 মিলিমিটার পুরু সিলিকনের একটি স্লাইস যার একটি অত্যন্ত সমতল পৃষ্ঠ রয়েছে যা প্রযুক্তিগতভাবে খুব চাহিদাপূর্ণ পদ্ধতির জন্য ধন্যবাদ। পরবর্তী ব্যবহার নির্ধারণ করে কোন ক্রিস্টাল ক্রমবর্ধমান পদ্ধতি ব্যবহার করা উচিত। Czochralski প্রক্রিয়ায়, উদাহরণস্বরূপ, পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন গলিত হয় এবং একটি পেন্সিল-পাতলা বীজ স্ফটিক গলিত সিলিকনে ডুবানো হয়। তারপর বীজ ক্রিস্টাল ঘোরানো হয় এবং ধীরে ধীরে উপরের দিকে টানা হয়। একটি খুব ভারী কলোসাস, একটি মনোক্রিস্টাল, ফলাফল। উচ্চ-বিশুদ্ধতা ডোপান্টের ছোট একক যোগ করে মনোক্রিস্টালের বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য নির্বাচন করা সম্ভব। ক্রিস্টালগুলি গ্রাহকের বৈশিষ্ট্য অনুসারে ডোপ করা হয় এবং তারপরে পালিশ করা হয় এবং টুকরো টুকরো করে কাটা হয়। বিভিন্ন অতিরিক্ত উত্পাদন পদক্ষেপের পরে, গ্রাহক তার নির্দিষ্ট ওয়েফারগুলি বিশেষ প্যাকেজিংয়ে পান, যা গ্রাহককে ব্যবহার করতে দেয়ওয়েফারঅবিলম্বে তার উত্পাদন লাইনে।

আজ, সিলিকন মনোক্রিস্টালগুলির একটি বড় অংশ Czochralski প্রক্রিয়া অনুসারে জন্মায়, যার মধ্যে হাইপারপিউর কোয়ার্টজ ক্রুসিবলে পলিক্রিস্টালাইন উচ্চ-বিশুদ্ধতার সিলিকন গলানো এবং ডোপান্ট (সাধারণত B, P, As, Sb) যোগ করা জড়িত। একটি পাতলা, একরঙা বীজ স্ফটিক গলিত সিলিকনে ডুবানো হয়। এই পাতলা স্ফটিক থেকে একটি বড় CZ স্ফটিক তৈরি হয়। গলিত সিলিকন তাপমাত্রা এবং প্রবাহের সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণ, স্ফটিক এবং ক্রুসিবল ঘূর্ণন, সেইসাথে স্ফটিক টানার গতির ফলে একটি অত্যন্ত উচ্চ মানের মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ইনগট তৈরি হয়।