পরিবাহী SiC সাবস্ট্রেটের ধীরে ধীরে ভর উৎপাদনের সাথে, প্রক্রিয়াটির স্থায়িত্ব এবং পুনরাবৃত্তিযোগ্যতার জন্য উচ্চতর প্রয়োজনীয়তাগুলি সামনে রাখা হয়। বিশেষ করে, ত্রুটি নিয়ন্ত্রণ, চুল্লিতে তাপ ক্ষেত্রের ছোট সমন্বয় বা প্রবাহ, স্ফটিক পরিবর্তন বা ত্রুটির বৃদ্ধি ঘটাবে। পরবর্তী সময়ে, আমাদের অবশ্যই "দ্রুত, দীর্ঘ এবং পুরু এবং বেড়ে উঠার" চ্যালেঞ্জ মোকাবেলা করতে হবে, তত্ত্ব এবং প্রকৌশলের উন্নতির পাশাপাশি, সহায়তা হিসাবে আমাদের আরও উন্নত তাপীয় ক্ষেত্র উপকরণ প্রয়োজন। উন্নত উপকরণ ব্যবহার করুন, উন্নত ক্রিস্টাল বাড়ান।
উত্তপ্ত ক্ষেত্রে ক্রুসিবল উপকরণ যেমন গ্রাফাইট, ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট, ট্যানটালাম কার্বাইড পাউডার ইত্যাদির অনুপযুক্ত ব্যবহার কার্বন অন্তর্ভুক্তি বৃদ্ধির মতো ত্রুটির দিকে পরিচালিত করবে। উপরন্তু, কিছু অ্যাপ্লিকেশনে, ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইটের ব্যাপ্তিযোগ্যতা যথেষ্ট নয় এবং ব্যাপ্তিযোগ্যতা বাড়ানোর জন্য অতিরিক্ত গর্ত প্রয়োজন। উচ্চ ব্যাপ্তিযোগ্যতা সহ ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট প্রক্রিয়াকরণ, পাউডার অপসারণ, এচিং এবং আরও অনেক কিছুর চ্যালেঞ্জের সম্মুখীন হয়।
VET একটি নতুন প্রজন্মের SiC ক্রিস্টাল ক্রমবর্ধমান তাপীয় ক্ষেত্রের উপাদান, ছিদ্রযুক্ত ট্যানটালাম কার্বাইড প্রবর্তন করে। বিশ্ব অভিষেক।
ট্যানটালাম কার্বাইডের শক্তি এবং কঠোরতা খুব বেশি, এবং এটিকে ছিদ্রযুক্ত করা একটি চ্যালেঞ্জ। বড় ছিদ্র এবং উচ্চ বিশুদ্ধতা সহ ছিদ্রযুক্ত ট্যানটালাম কার্বাইড তৈরি করা একটি দুর্দান্ত চ্যালেঞ্জ। হেংপু টেকনোলজি 75% সর্বোচ্চ ছিদ্র সহ বৃহৎ ছিদ্রযুক্ত একটি যুগান্তকারী ছিদ্রযুক্ত ট্যানটালাম কার্বাইড চালু করেছে, যা বিশ্বকে নেতৃত্ব দিয়েছে।
গ্যাস ফেজ উপাদান পরিস্রাবণ, স্থানীয় তাপমাত্রা গ্রেডিয়েন্ট সমন্বয়, উপাদান প্রবাহের দিক, ফুটো নিয়ন্ত্রণ, ইত্যাদি ব্যবহার করা যেতে পারে। হেংপু টেকনোলজি থেকে অন্য একটি কঠিন ট্যান্টালম কার্বাইড (কম্প্যাক্ট) বা ট্যান্টালম কার্বাইড আবরণের সাথে এটি ব্যবহার করা যেতে পারে বিভিন্ন প্রবাহ পরিবাহিতা সহ স্থানীয় উপাদান তৈরি করতে।
কিছু উপাদান পুনরায় ব্যবহার করা যেতে পারে.
পোস্টের সময়: জুলাই-14-2023