আধুনিক সি, এন, বি এবং অন্যান্য নন-অক্সাইড হাই-টেক অবাধ্য কাঁচামাল, বায়ুমণ্ডলীয় চাপ sintered সিলিকন কার্বাইড ব্যাপক, অর্থনৈতিক, এমেরি বা অবাধ্য বালি বলা যেতে পারে। বিশুদ্ধ সিলিকন কার্বাইড বর্ণহীন স্বচ্ছ স্ফটিক। তাহলে সিলিকন কার্বাইডের উপাদান গঠন এবং বৈশিষ্ট্য কী?
বায়ুমণ্ডলীয় চাপের অধীনে সিন্টারযুক্ত সিলিকন কার্বাইড
বায়ুমণ্ডলীয় চাপ সিন্টারযুক্ত সিলিকন কার্বাইডের উপাদান কাঠামো:
শিল্পে ব্যবহৃত বায়ুমণ্ডলীয় চাপ সিন্টারযুক্ত সিলিকন কার্বাইড অমেধ্যের ধরন এবং বিষয়বস্তু অনুসারে হালকা হলুদ, সবুজ, নীল এবং কালো, এবং বিশুদ্ধতা ভিন্ন এবং স্বচ্ছতা ভিন্ন। সিলিকন কার্বাইড স্ফটিক গঠন ছয় শব্দ বা হীরা আকৃতির প্লুটোনিয়াম এবং ঘন প্লুটোনিয়াম-sic বিভক্ত করা হয়. স্ফটিক কাঠামোতে কার্বন এবং সিলিকন পরমাণুর বিভিন্ন স্ট্যাকিং অর্ডারের কারণে প্লুটোনিয়াম-সিক বিভিন্ন ধরণের বিকৃতি তৈরি করে এবং 70 টিরও বেশি ধরণের বিকৃতি পাওয়া গেছে। বিটা-এসআইসি 2100-এর উপরে আলফা-এসআইসি-তে রূপান্তরিত হয়। সিলিকন কার্বাইডের শিল্প প্রক্রিয়া একটি প্রতিরোধ চুল্লিতে উচ্চ-মানের কোয়ার্টজ বালি এবং পেট্রোলিয়াম কোক দিয়ে পরিমার্জিত হয়। পরিশোধিত সিলিকন কার্বাইড ব্লকগুলিকে চূর্ণ করা হয়, অ্যাসিড-বেস পরিষ্কার করা হয়, চৌম্বকীয় পৃথকীকরণ, স্ক্রীনিং বা জল নির্বাচন করা হয় যাতে বিভিন্ন কণা আকারের পণ্য তৈরি করা হয়।
বায়ুমণ্ডলীয় চাপ সিন্টারযুক্ত সিলিকন কার্বাইডের উপাদান বৈশিষ্ট্য:
সিলিকন কার্বাইডের ভাল রাসায়নিক স্থিতিশীলতা, তাপ পরিবাহিতা, তাপ সম্প্রসারণ সহগ, পরিধান প্রতিরোধের, তাই ঘষিয়া তুলিয়া ফেলিতে সক্ষম ব্যবহার ছাড়াও, অনেক ব্যবহার আছে: উদাহরণস্বরূপ, সিলিকন কার্বাইড পাউডারটি টারবাইন ইমপেলার বা সিলিন্ডার ব্লকের ভিতরের দেয়ালে লেপা হয় একটি বিশেষ প্রক্রিয়া, যা পরিধান প্রতিরোধের উন্নতি করতে পারে এবং 1 থেকে 2 বার জীবন প্রসারিত করতে পারে। তাপ-প্রতিরোধী, ছোট আকার, হালকা ওজন, উচ্চ-গ্রেডের অবাধ্য পদার্থের উচ্চ শক্তি, শক্তি দক্ষতা খুব ভাল। নিম্ন-গ্রেডের সিলিকন কার্বাইড (প্রায় 85% SiC সহ) ইস্পাত তৈরির গতি বাড়াতে এবং ইস্পাত গুণমান উন্নত করতে রাসায়নিক গঠনকে সহজেই নিয়ন্ত্রণ করার জন্য একটি চমৎকার ডিঅক্সিডাইজার। উপরন্তু, বায়ুমণ্ডলীয় চাপ sintered সিলিকন কার্বাইড ব্যাপকভাবে সিলিকন কার্বন রডের বৈদ্যুতিক অংশ তৈরিতে ব্যবহৃত হয়।
সিলিকন কার্বাইড খুব শক্ত। মোর্সের কঠোরতা হল 9.5, বিশ্বের হার্ড ডায়মন্ডের (10) পরে দ্বিতীয়, চমৎকার তাপ পরিবাহিতা সহ একটি অর্ধপরিবাহী, উচ্চ তাপমাত্রায় অক্সিডেশন প্রতিরোধ করতে পারে। সিলিকন কার্বাইডের কমপক্ষে 70টি স্ফটিক প্রকার রয়েছে। প্লুটোনিয়াম-সিলিকন কার্বাইড হল একটি সাধারণ আইসোমার যা 2000-এর উপরে তাপমাত্রায় তৈরি হয় এবং এর একটি ষড়ভুজাকার স্ফটিক কাঠামো রয়েছে (উর্টজাইটের মতো)। বায়ুমণ্ডলীয় চাপের অধীনে সিন্টারযুক্ত সিলিকন কার্বাইড
সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে সিলিকন কার্বাইডের প্রয়োগ
সিলিকন কার্বাইড অর্ধপরিবাহী শিল্প শৃঙ্খলে প্রধানত সিলিকন কার্বাইড উচ্চ-বিশুদ্ধতা পাউডার, একক ক্রিস্টাল সাবস্ট্রেট, এপিটাক্সিয়াল শীট, পাওয়ার উপাদান, মডিউল প্যাকেজিং এবং টার্মিনাল অ্যাপ্লিকেশন রয়েছে।
1. একক ক্রিস্টাল সাবস্ট্রেট একক ক্রিস্টাল সাবস্ট্রেট হল একটি সেমিকন্ডাক্টর সাপোর্টিং উপাদান, পরিবাহী উপাদান এবং এপিটাক্সিয়াল গ্রোথ সাবস্ট্রেট। বর্তমানে, SiC একক ক্রিস্টালের বৃদ্ধির পদ্ধতিগুলির মধ্যে রয়েছে শারীরিক বাষ্প স্থানান্তর পদ্ধতি (PVT পদ্ধতি), তরল ফেজ পদ্ধতি (LPE পদ্ধতি), এবং উচ্চ তাপমাত্রার রাসায়নিক বাষ্প জমা করার পদ্ধতি (HTCVD পদ্ধতি)। বায়ুমণ্ডলীয় চাপের অধীনে সিন্টারযুক্ত সিলিকন কার্বাইড
2. এপিটাক্সিয়াল শীট সিলিকন কার্বাইড এপিটাক্সিয়াল শীট, সিলিকন কার্বাইড শীট, একক ক্রিস্টাল ফিল্ম (এপিটাক্সিয়াল লেয়ার) সাবস্ট্রেট স্ফটিক হিসাবে একই দিক দিয়ে যা সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটের জন্য নির্দিষ্ট প্রয়োজনীয়তা রয়েছে। ব্যবহারিক প্রয়োগে, প্রশস্ত ব্যান্ড গ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলি প্রায় সমস্তই এপিটাক্সিয়াল স্তরে তৈরি করা হয় এবং সিলিকন চিপ নিজেই কেবলমাত্র GaN এপিটাক্সিয়াল স্তরের স্তর সহ সাবস্ট্রেট হিসাবে ব্যবহৃত হয়।
3. উচ্চ-বিশুদ্ধতা সিলিকন কার্বাইড পাউডার উচ্চ-বিশুদ্ধতা সিলিকন কার্বাইড পাউডার PVT পদ্ধতি দ্বারা সিলিকন কার্বাইড একক ক্রিস্টাল বৃদ্ধির জন্য কাঁচামাল, এবং পণ্যের বিশুদ্ধতা সরাসরি সিলিকন কার্বাইড একক ক্রিস্টালের বৃদ্ধির গুণমান এবং বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যকে প্রভাবিত করে।
4. পাওয়ার ডিভাইস হল সিলিকন কার্বাইড উপাদান দিয়ে তৈরি একটি ওয়াইড-ব্যান্ড পাওয়ার, যার বৈশিষ্ট্য রয়েছে উচ্চ তাপমাত্রা, উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি এবং উচ্চ দক্ষতা। ডিভাইসের অপারেটিং ফর্ম অনুসারে, SiC পাওয়ার সাপ্লাই ডিভাইসে প্রধানত একটি পাওয়ার ডায়োড এবং একটি পাওয়ার সুইচ টিউব অন্তর্ভুক্ত থাকে।
5. টার্মিনাল তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর অ্যাপ্লিকেশনে, সিলিকন কার্বাইড সেমিকন্ডাক্টর গ্যালিয়াম নাইট্রাইড সেমিকন্ডাক্টরের পরিপূরক হওয়ার সুবিধা রয়েছে। উচ্চ রূপান্তর দক্ষতা, কম গরম করার বৈশিষ্ট্য, লাইটওয়েট এবং SiC ডিভাইসের অন্যান্য সুবিধার কারণে, ডাউনস্ট্রিম শিল্পের চাহিদা ক্রমাগত বৃদ্ধি পাচ্ছে এবং SiO2 ডিভাইসগুলি প্রতিস্থাপন করার প্রবণতা রয়েছে।
পোস্টের সময়: জুন-16-2023