উচ্চ বিশুদ্ধতা 8 ইঞ্চি সিলিকন ওয়েফার

সংক্ষিপ্ত বর্ণনা:

VET Energy-এর উচ্চ-বিশুদ্ধতা 8-ইঞ্চি সিলিকন ওয়েফারগুলি সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনের জন্য আপনার আদর্শ পছন্দ। উন্নত প্রযুক্তি ব্যবহার করে তৈরি, এই ওয়েফারগুলির দুর্দান্ত ক্রিস্টাল গুণমান এবং পৃষ্ঠের সমতলতা রয়েছে, যা এগুলিকে বিভিন্ন ধরণের মাইক্রোইলেক্ট্রনিক ডিভাইস তৈরির জন্য উপযুক্ত করে তোলে।


পণ্য বিস্তারিত

পণ্য ট্যাগ

VET Energy-এর 8-ইঞ্চি সিলিকন ওয়েফারগুলি পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স, সেন্সর, ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট এবং অন্যান্য ক্ষেত্রে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। সেমিকন্ডাক্টর শিল্পের একজন নেতা হিসাবে, আমরা আমাদের গ্রাহকদের ক্রমবর্ধমান চাহিদা মেটাতে উচ্চ-মানের Si Wafer পণ্য সরবরাহ করতে প্রতিশ্রুতিবদ্ধ।

Si Wafer ছাড়াও, VET Energy SiC সাবস্ট্রেট, SOI ওয়েফার, SiN সাবস্ট্রেট, Epi Wafer, ইত্যাদি সহ সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্রেট উপকরণগুলির একটি বিস্তৃত পরিসরও সরবরাহ করে৷ আমাদের পণ্য লাইনটি গ্যালিয়াম অক্সাইড Ga2O3 এবং AlN-এর মতো নতুন প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর উপাদানগুলিও কভার করে৷ ওয়েফার, পরবর্তী প্রজন্মের পাওয়ার ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির বিকাশের জন্য শক্তিশালী সমর্থন প্রদান করে।

প্রতিটি ওয়েফার কঠোর শিল্প মান পূরণ করে তা নিশ্চিত করার জন্য VET এনার্জির উন্নত উত্পাদন সরঞ্জাম এবং একটি সম্পূর্ণ গুণমান ব্যবস্থাপনা সিস্টেম রয়েছে। আমাদের পণ্য শুধুমাত্র চমৎকার বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য আছে, কিন্তু ভাল যান্ত্রিক শক্তি এবং তাপ স্থিতিশীলতা আছে.

VET Energy গ্রাহকদের বিভিন্ন আকার, প্রকার এবং ডোপিং ঘনত্বের ওয়েফার সহ কাস্টমাইজড ওয়েফার সমাধান সরবরাহ করে। উপরন্তু, আমরা পেশাদার প্রযুক্তিগত সহায়তা এবং বিক্রয়োত্তর পরিষেবা সরবরাহ করি যাতে গ্রাহকদের উত্পাদন প্রক্রিয়া চলাকালীন বিভিন্ন সমস্যার সমাধান করতে সহায়তা করে।

第6页-36
第6页-35

ওয়েফারিং স্পেসিফিকেশন

*n-Pm=n-টাইপ Pm-গ্রেড, n-Ps=n-টাইপ Ps-গ্রেড,Sl=সেমি-এনসুলেটিং

আইটেম

8-ইঞ্চি

6-ইঞ্চি

4-ইঞ্চি

nP

n-Pm

n- Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

বো (GF3YFCD)-পরম মান

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

ওয়ার্প(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

ওয়েফার এজ

বেভেলিং

সারফেস ফিনিশ

*n-Pm=n-টাইপ Pm-গ্রেড, n-Ps=n-টাইপ Ps-গ্রেড,Sl=সেমি-এনসুলেটিং

আইটেম

8-ইঞ্চি

6-ইঞ্চি

4-ইঞ্চি

nP

n-Pm

n- Ps

SI

SI

সারফেস ফিনিশ

ডাবল সাইড অপটিক্যাল পোলিশ, সি-ফেস সিএমপি

পৃষ্ঠের রুক্ষতা

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
সি-ফেস Ra≤ 0.5nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
সি-ফেস Ra≤0.5nm

এজ চিপস

কোনটি অনুমোদিত নয় (দৈর্ঘ্য এবং প্রস্থ≥0.5 মিমি)

ইন্ডেন্ট

অনুমতি নেই

স্ক্র্যাচ (সি-ফেস)

পরিমাণ।≤5, ক্রমবর্ধমান
দৈর্ঘ্য≤0.5 × ওয়েফার ব্যাস

পরিমাণ।≤5, ক্রমবর্ধমান
দৈর্ঘ্য≤0.5 × ওয়েফার ব্যাস

পরিমাণ।≤5, ক্রমবর্ধমান
দৈর্ঘ্য≤0.5 × ওয়েফার ব্যাস

ফাটল

অনুমতি নেই

এজ এক্সক্লুশন

3 মিমি

প্রযুক্তি_1_2_আকার
下载 (2)

  • পূর্ববর্তী:
  • পরবর্তী:

  • হোয়াটসঅ্যাপ অনলাইন চ্যাট!