«Шчырасць, інавацыі, строгасць і эфектыўнасць» - гэта пастаянная канцэпцыя нашай кампаніі на доўгатэрміновую перспектыву, каб развівацца разам з кліентамі для ўзаемнай узаемнасці і ўзаемнай выгады для праверкі якасці Кітайскай прамысловай полікрышталічнайАлмазны парашок3-6 мкм для Sapphire Wafer, мы ўпэўненыя, што зможам прапанаваць пакупнікам высакаякасныя прадукты і рашэнні па разумнай цане, выдатную падтрымку пасля продажу. І мы будзем будаваць энергічны доўгатэрміновы перыяд.
«Шчырасць, інавацыі, строгасць і эфектыўнасць» - гэта пастаянная канцэпцыя нашай кампаніі на доўгатэрміновую перспектыву, каб развівацца разам з кліентамі для ўзаемнай узаемнасці і ўзаемнай выгады дляКітайскі сінтэтычны алмаз, Алмазны парашок, Мы заўсёды настойваем на прынцыпе кіравання "Якасць - перш за ўсё, тэхналогія - аснова, сумленнасць і інавацыі". Мы можам пастаянна распрацоўваць новыя прадукты на больш высокім узроўні, каб задаволіць розныя патрэбы кліентаў.
Апісанне прадукту
Наша кампанія прадастаўляе паслугі па нанясенні пакрыцця SiC метадам CVD на паверхні графіту, керамікі і іншых матэрыялаў, так што спецыяльныя газы, якія змяшчаюць вуглярод і крэмній, рэагуюць пры высокай тэмпературы з атрыманнем малекул SiC высокай чысціні, малекул, асаджаных на паверхні матэрыялаў з пакрыццём, фарміраванне SIC ахоўнага пласта.
Асноўныя характарыстыкі:
1. Устойлівасць да акіслення пры высокіх тэмпературах:
устойлівасць да акіслення па-ранейшаму вельмі добрая, калі тэмпература дасягае 1600 C.
2. Высокая чысціня: вырабляецца шляхам хімічнага асаджэння з паравай фазы ва ўмовах высокатэмпературнага хларавання.
3. Устойлівасць да эрозіі: высокая цвёрдасць, кампактная паверхня, дробныя часціцы.
4. Каразійная ўстойлівасць: кіслоты, шчолачы, солі і арганічныя рэагенты.
Асноўныя характарыстыкі пакрыцця CVD-SIC
Уласцівасці SiC-CVD | ||
Крышталічная структура | FCC β фаза | |
Шчыльнасць | г/см³ | 3.21 |
Цвёрдасць | Цвёрдасць па Віккерсу | 2500 |
Памер збожжа | мкм | 2~10 |
Хімічная чысціня | % | 99,99995 |
Цеплаёмістасць | Дж·кг-1 ·К-1 | 640 |
Тэмпература сублімацыі | ℃ | 2700 |
Felexural Сіла | МПа (RT 4-кропка) | 415 |
Модуль Юнга | Gpa (выгіб 4 пункты, 1300 ℃) | 430 |
Цеплавое пашырэнне (CTE) | 10-6К-1 | 4.5 |
Цеплаправоднасць | (Вт/мК) | 300 |