З паступовым масавым вытворчасцю токаправодных падкладак з карбіду карбіду, прад'яўляюцца больш высокія патрабаванні да стабільнасці і паўтаральнасці працэсу. У прыватнасці, кантроль дэфектаў, невялікая рэгуляванне або дрэйф цеплавога поля ў печы, прывядзе да змяненняў крышталя або павелічэння дэфектаў. У больш позні перыяд мы павінны сутыкнуцца з праблемай «хуткага, доўгага і тоўстага росту і росту». У дадатак да ўдасканалення тэорыі і тэхнікі, нам таксама патрэбныя больш дасканалыя матэрыялы цеплавога поля ў якасці падтрымкі. Выкарыстоўвайце перадавыя матэрыялы, вырошчвайце перадавыя крышталі.
Няправільнае выкарыстанне матэрыялаў для тыгля, такіх як графіт, кіпры графіт, парашок карбіду тантала і г.д., у гарачым полі прывядзе да такіх дэфектаў, як павелічэнне ўключэння вугляроду. Акрамя таго, у некаторых прыкладаннях пранікальнасць порыстага графіту недастатковая, і для павышэння пранікальнасці неабходны дадатковыя адтуліны. Поры графіт з высокай пранікальнасцю сутыкаецца з праблемамі апрацоўкі, выдалення парашка, тручэння і гэтак далей.
VET прадстаўляе новае пакаленне матэрыялу з цеплавым полем для вырошчвання крышталяў SiC, порыстага карбіду тантала. Сусветны дэбют.
Трываласць і цвёрдасць карбіду тантала вельмі высокія, і зрабіць яго сітаватым - праблема. Стварэнне порыстага карбіду тантала з вялікай сітаватасцю і высокай чысцінёй з'яўляецца вялікай праблемай. Кампанія Hengpu Technology выпусціла прарыўны кіпры карбід тантала з вялікай сітаватасцю з максімальнай сітаватасцю 75 %, які лідзіруе ў свеце.
Можа выкарыстоўвацца фільтраванне кампанентаў газавай фазы, рэгуляванне мясцовага тэмпературнага градыенту, напрамкі патоку матэрыялу, кантроль уцечкі і г.д. Яго можна выкарыстоўваць з іншым цвёрдым карбідам тантала (кампактным) або пакрыццём з карбіду тантала ад Hengpu Technology для фарміравання лакальных кампанентаў з рознай праводнасцю патоку.
Некаторыя кампаненты можна выкарыстоўваць паўторна.
Час публікацыі: 14 ліпеня 2023 г