SİLİKON VAFRESİ NECƏ HAZIRLAMAQ
A gofrettexniki cəhətdən çox tələbkar olan prosedurlar sayəsində son dərəcə düz səthə malik olan təxminən 1 millimetr qalınlığında silikon dilimidir. Sonrakı istifadə hansı kristal yetişdirmə prosedurunun tətbiq olunacağını müəyyənləşdirir. Məsələn, Czochralski prosesində polikristal silisium əridilir və karandaş kimi nazik toxum kristalı ərinmiş silisiumun içinə batırılır. Sonra toxum kristalı fırlanır və yavaş-yavaş yuxarıya çəkilir. Çox ağır bir kolossus, monokristal nəticələnir. Monokristalın elektrik xüsusiyyətlərini yüksək təmizlikli əlavə maddələrin kiçik vahidlərini əlavə etməklə seçmək mümkündür. Kristallar müştərinin spesifikasiyasına uyğun olaraq əlavə edilir və sonra cilalanır və dilimlərə kəsilir. Müxtəlif əlavə istehsal addımlarından sonra müştəri müəyyən edilmiş vafliləri xüsusi qablaşdırmada alır ki, bu da müştəriyə vaflidən dərhal öz istehsal xəttində istifadə etməyə imkan verir.
ÇOXRALSKI PROSESİ
Bu gün silisium monokristallarının böyük bir hissəsi Czochralski prosesinə uyğun olaraq yetişdirilir ki, bu da polikristal yüksək təmiz silisiumun hipertəmiz kvars potasında əridilməsini və əlavə maddələrin (adətən B, P, As, Sb) əlavə edilməsini nəzərdə tutur. İncə, monokristal toxum kristalı ərimiş silisiumun içinə batırılır. Sonra bu nazik kristaldan böyük bir CZ kristalı əmələ gəlir. Ərinmiş silisiumun temperaturu və axınının, kristalın və pota fırlanmasının, həmçinin kristalın çəkilmə sürətinin dəqiq tənzimlənməsi son dərəcə yüksək keyfiyyətli monokristal silisium külçəsi ilə nəticələnir.
FLOAT ZONASI ÜSULU
Üzmə zonası üsulu ilə istehsal edilən monokristallar IGBT kimi enerji yarımkeçirici komponentlərində istifadə üçün idealdır. Silindrik polikristal silisium külçəsi bir induksiya bobini üzərində quraşdırılmışdır. Radiotezlikli elektromaqnit sahəsi çubuqun aşağı hissəsindən silisiumu əritməyə kömək edir. Elektromaqnit sahəsi silisium axınını induksiya bobinindəki kiçik bir dəlikdən və aşağıda yerləşən monokristala doğru tənzimləyir (float zona üsulu). Adətən B və ya P ilə dopinq, qazlı maddələrin əlavə edilməsi ilə əldə edilir.
Göndərmə vaxtı: 07 iyun 2021-ci il