VET Energy-dən olan monokristal 8 düymlük silikon vafli yarımkeçiricilər və elektron cihazların istehsalı üçün sənayedə aparıcı həlldir. Üstün təmizlik və kristal quruluş təklif edən bu vaflilər həm fotovoltaik, həm də yarımkeçirici sənayelərdə yüksək performanslı tətbiqlər üçün idealdır. VET Energy qabaqcıl elektron cihazların istehsalı üçün vacib olan mükəmməl vahidliyi və hamar səthi təmin edərək, hər bir vaflinin ən yüksək standartlara cavab vermək üçün diqqətlə işlənməsini təmin edir.
Bu Monokristal 8 Düymlük Silikon Vaflilər Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate daxil olmaqla bir sıra materiallarla uyğun gəlir və Epi Gofretin böyüməsi üçün xüsusilə uyğundur. Onların üstün istilik keçiriciliyi və elektrik xüsusiyyətləri onları yüksək səmərəli istehsal üçün etibarlı seçim edir. Bundan əlavə, bu vaflilər Gallium Oxide Ga2O3 və AlN Wafer kimi materiallarla problemsiz işləmək üçün nəzərdə tutulmuşdur və enerji elektronikasından tutmuş RF cihazlarına qədər geniş tətbiqlər təklif edir. Vaflilər həmçinin yüksək həcmli, avtomatlaşdırılmış istehsal mühitləri üçün Kaset sistemlərinə mükəmməl uyğun gəlir.
VET Energy-nin məhsul xətti yalnız silikon vaflilərlə məhdudlaşmır. Biz, həmçinin SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer və s., o cümlədən geniş çeşiddə yarımkeçirici substrat materialları, həmçinin Gallium Oxide Ga2O3 və AlN Wafer kimi yeni geniş diapazonlu yarımkeçirici materiallar təqdim edirik. Bu məhsullar elektrik elektronikası, radiotezlik, sensorlar və digər sahələrdə müxtəlif müştərilərin tətbiq ehtiyaclarını ödəyə bilər.
VET Energy müştərilərə xüsusi hazırlanmış vafli həllər təqdim edir. Müştərilərin xüsusi ehtiyaclarına uyğun olaraq müxtəlif müqavimət, oksigen tərkibi, qalınlığı və s. olan vafliləri fərdiləşdirə bilərik. Bundan əlavə, biz müştərilərə istehsal prosesi zamanı qarşılaşdıqları müxtəlif problemləri həll etmək üçün peşəkar texniki dəstək və satış sonrası xidmət göstəririk.
VAFERİNİN XÜSUSİYYƏTLƏRİ
*n-Pm=n-tipli Pm-Qrade,n-Ps=n-tipli Ps-Qrade,Sl=Yarım-izolyasiya
Maddə | 8-düym | 6-düym | 4-düym | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Yay(GF3YFCD)-Mütləq Dəyər | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Çarpma (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR) -10mmx10mm | <2μm | ||||
Gofret kənarı | Kəsmə |
Səthi bitirmə
*n-Pm=n-tipli Pm-Qrade,n-Ps=n-tipli Ps-Qrade,Sl=Yarım-izolyasiya
Maddə | 8-düym | 6-düym | 4-düym | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Səthi bitirmə | İkitərəfli Optik Cila, Si-Face CMP | ||||
Səthi Kobudluq | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Kenar çipləri | İcazə verilmir (uzunluq və en≥0,5 mm) | ||||
Girintilər | Heç biri icazə verilmir | ||||
Cızıqlar (Si-Face) | Miqdar.≤5,Kumulyativ | Miqdar.≤5,Kumulyativ | Miqdar.≤5,Kumulyativ | ||
Çatlaqlar | Heç biri icazə verilmir | ||||
Kənar İstisna | 3 mm |