የሲሲ ሽፋን ግራፋይት MOCVD ዋፈር ተሸካሚዎች፣ግራፋይት ሱስሴፕተሮችለሲሲ ኤፒታክሲ፣
ካርቦን ተጠርጣሪዎችን ያቀርባል, ግራፋይት epitaxy susceptors, ግራፋይት ሱስሴፕተሮች, MOCVD Susceptor, Wafer Susceptors,

የሲቪዲ-ሲሲ ሽፋን አንድ ወጥ መዋቅር ፣ የታመቀ ቁሳቁስ ፣ ከፍተኛ የሙቀት መጠን መቋቋም ፣ ኦክሳይድ መቋቋም ፣ ከፍተኛ ንፅህና ፣ አሲድ እና አልካሊ መቋቋም እና ኦርጋኒክ ሬጀንት ፣ የተረጋጋ አካላዊ እና ኬሚካዊ ባህሪዎች አሉት።

ከከፍተኛ ንፅህና የግራፋይት ቁሶች ጋር ሲነፃፀር ግራፋይት በ 400C ኦክሳይድ ይጀምራል ፣ ይህም በኦክሳይድ ምክንያት የዱቄት መጥፋት ያስከትላል ፣ ይህም ወደ ተጓዳኝ መሳሪያዎች እና የቫኩም ክፍሎች የአካባቢ ብክለት ያስከትላል ፣ እና የከፍተኛ ንፅህና አከባቢን ቆሻሻዎች ይጨምራል።

ይሁን እንጂ የሲሲ ሽፋን አካላዊ እና ኬሚካላዊ መረጋጋትን በ 1600 ዲግሪ ማቆየት ይችላል, በዘመናዊ ኢንዱስትሪ ውስጥ በተለይም በሴሚኮንዳክተር ኢንዱስትሪ ውስጥ በሰፊው ጥቅም ላይ ይውላል.

ድርጅታችን በግራፋይት ፣ ሴራሚክስ እና ሌሎች ቁሳቁሶች ላይ የሲሲ ሽፋን ሂደትን በሲቪዲ ዘዴ ያቀርባል ፣ ስለሆነም ካርቦን እና ሲሊኮን የያዙ ልዩ ጋዞች በከፍተኛ የሙቀት መጠን ምላሽ እንዲሰጡ ከፍተኛ ንፅህናን SiC ሞለኪውሎችን ፣ በተሸፈኑ ቁሳቁሶች ላይ የተከማቹ ሞለኪውሎች ፣ የ SIC መከላከያ ንብርብር መፍጠር. የተፈጠረው SIC ከግራፋይት መሰረት ጋር በጥብቅ የተሳሰረ ነው፣የግራፋይት መሰረትን ልዩ ባህሪያትን በመስጠት፣የግራፋይቱ ወለል የታመቀ፣Porosity-ነጻ፣ከፍተኛ የሙቀት መቋቋም፣የዝገት መቋቋም እና ኦክሳይድ መቋቋም።

ማመልከቻ፡-

ዋና ዋና ባህሪያት:

1. ከፍተኛ የሙቀት መጠን ኦክሳይድ መቋቋም;

የሙቀት መጠኑ እስከ 1700 C ሲደርስ የኦክሳይድ መከላከያው አሁንም በጣም ጥሩ ነው.

2. ከፍተኛ ንፅህና፡- በከፍተኛ የሙቀት ክሎሪን ሁኔታ በኬሚካል ትነት ክምችት የተሰራ።

3. የአፈር መሸርሸር መቋቋም: ከፍተኛ ጥንካሬ, የታመቀ ገጽ, ጥቃቅን ቅንጣቶች.

4. የዝገት መቋቋም: አሲድ, አልካሊ, ጨው እና ኦርጋኒክ reagents.

የCVD-SIC ሽፋን ዋና ዝርዝሮች፡-

የአቅርቦት ችሎታ፡

10000 ቁራጭ/በወር
ማሸግ እና ማድረስ፡
ማሸግ: መደበኛ እና ጠንካራ ማሸግ
ፖሊ ቦርሳ + ሣጥን + ካርቶን + ፓሌት
ወደብ፡
ኒንቦ/ሼንዘን/ሻንጋይ
የመምራት ጊዜ፥